Bài giảng Dụng cụ bán dẫn - Chương 6: FET (Field Effect Transistor) - Phần 1: Transistor hiệu ứng trường - Hồ Trung Mỹ

1Chương 6
FET
(Field Effect Transistor)
Transistor hiệu ứng trường
ĐHBK Tp HCM-Khoa Đ-ĐT
BMĐT
GVPT: Hồ Trung Mỹ
Môn học: Dụng cụ bán dẫn
2Nội dung
• Giới thiệu
• Cấu tạo và nguyên tắc hoạt động
• Đặc tuyến I-V
• Các hiệu ứng thứ cấp
• Mô hình tín hiệu nhỏ - mạch tương đương tín hiệu nhỏ
• Mô hình tín hiệu nhỏ ở tần số cao
• Các ứng dụng của JFET: KĐ, KĐ chopper, khóa analog, 
nguồn dòng...
36.1 Giới thiệu
4Diode Transistor
FETBJT
5History of FET
6Other milestones in transistor development:
7Shockley’s model of a junction FET
8JFET = PN junction FET
TD: JFET kênh N
9MESFET = Metal-semiconductor FET = 
Schottky gate FET
TD: MESFET kênh N
10
11
12
13
14
Giới thiệu
• FET (Field Effect Transistor=transistor hiệu ứng trường) cũng 
là một trong các dụng cụ điện tử quan trọng nhất trong công 
nghệ bán dẫn hiện đại. 
• Như chúng ta đã xét ở chương BJT thì chúng ta đã thấy những 
thuận lợi và bất lợi của BJT, BJT là dụng cụ lưỡng cực. FET là 
dụng cụ đơn cực (unipolar), dòng điện tạo bởi điện tử hoặc lỗ. 
FET điều khiển dòng điện chảy trong kênh bằng cách giới hạn 
hay mở kênh dẫn (xem hình 1). Việc này được thực hiện bằng 
cách đưa điện áp phân cực vào cực điều khiển được gọi là 
cổng. 
• Do FET là dụng cụ đơn cực nên nó có thể làm việc với các tốc 
độ cao vì sự tái hợp điện tử-lỗ không giới hạn dụng cụ. Bằng 
cách sử dụng vật liệu “nhanh hơn”, tốc độ của dụng cụ trở nên 
rất nhanh, làm cho FET được chọn trong nhiều ứng dụng số và 
vi ba.
15
Hình 6.1. Nguyên tắc vật lý của FET dựa trên việc sử 
dụng cổng để thay đổi điện tích trong kênh bằng cách 
làm hẹp kênh dẫn. Điện thế ở cổng thay đổi dẫn đến 
dòng điện qua kênh thay đổi 
16
• Khái niệm về FET thì hoàn toàn đơn giản và được minh 
họa trong hình 6.1. 
• Dụng cụ gồm có một kênh dẫn tích cực mà các điện tử 
chạy trong kênh này từ nguồn S (source) đến máng D 
(drain). 
• Các tiếp điểm ở nguồn và máng là các tiếp điểm Ohm. 
• Độ rộng của kênh bị điều chế bởi điện thế đưa vào cổng 
G (gate). 
• Sự điều chế độ rộng kênh dẫn đến điều chế dòng điện đi 
qua kênh này. 
• Điểm quan trọng trong quá trình này là cách ly cổng với 
dòng điện chảy qua kênh. Nếu cổng không được cách ly 
tốt với kênh dẫn thì nó kéo nhiều dòng điện và dẫn đến 
dụng cụ có độ lợi kém (nghĩa là tỉ lệ của công suất ra 
(hoặc dòng điện) với công suất vào (hoặc dòng điện)).
17
Sự cách ly cổng với kênh dẫn
Sự cách ly cổng được thực hiện bằng nhiều cách, 
dẫn đến có nhiều dụng cụ khác nhau: 
– Trong MOSFET cổng được cách ly với kênh dẫn bằng 
oxide. 
– Trong FET kim loại-bán dẫn (MESFET) thì cổng tạo thành 
rào Schottky với bán dẫn và dòng điện cổng nhỏ trong tầm 
điện áp hữu dụng ở cổng. 
– Trong FET được pha điều chế (MODFET), cổng cũng tạo 
rào Schottky, và người ta sử dụng các khái niệm cấu trúc 
dị thể (hay không đồng nhất ) (hesterostructure) để giảm 
tán xạ tạp chất ion hóa. 
– Trong FET tiếp xúc (JFET), người ta sử dụng tiếp xúc P-N 
được phân cực ngược để cách ly cổng. 
18
Phân loại FET
• Tổng quát, chúng ta có thể chia FET làm 2 nhóm chính:
1. Các dụng cụ mà sự cách ly cổng đạt được bằng cách sử dụng chất 
cách điện giữa cổng và kênh tích cực mà ở đó có dòng điện tử 
chạy qua. Nếu khe năng lượng của chất cách điện lớn thì các điện 
tử có thể bị “cảm ứng” vào kênh dẫn không cần phải pha tạp chất.
2. Các dụng cụ trong đó cách ly cổng đạt được bằng cách sử dụng 
rào thế Schottky. Ở đây các chất kích tạp (dopants) được dùng để 
cung cấp các hạt dẫn tự do và cổng dùng để thay đổi sự dẫn điện 
của kênh bằng cách thay đổi bề rộng miền nghèo.
• Các FET dựa trên Si sử dụng khái niệm MOSFET trong khi 
đó phần lớn các bán dẫn hợp chất III-V dựa trên các khái 
niệm MESFET hoặc MODFET. Trong chương này chúng ta 
chủ yếu sẽ xét JFET và chương kế sẽ khảo sát MOSFET 
19
6.2 Cấu tạo và
nguyên tắc hoạt động của JFET
20
Cấu tạo của JFET kênh N
• FET đơn giản nhất là FET tiếp xúc hay JFET. Hình 6.2 cho ta 
thấy cấu trúc JFET đơn giản. Dụng cụ gồm một lớp mỏng 
bán dẫn loại N có pha thêm các tạp chất để tạo các lớp P+ ở 
hai bên. Miền ở giữa 2 miền p+ được gọi là kênh, và các điện 
tử có thể chạy trong kênh này ở giữa 2 tiếp xúc thuần trở gọi 
là cực nguồn S (source) và cực máng D (drain). Hình 6.2 cho 
ta thấy dụng cụ có pha 2 bên, mặc dù thông thường các 
dụng cụ chỉ có một cổng và bề rộng kênh là h. 
• Cực nguồn S được đặt phân cực âm hơn so với máng D để 
các điện tử chạy từ nguồn đến máng. Các miền p+ tạo thành 
cực cổng G của dụng cụ và phân cực âm được áp đặt vào 
chúng. Phân cực ngược này trên các tiếp xúc p+-n làm cho 
tăng thêm bề rộng miền nghèo bên n. Khi các điện tử đi qua 
miền n thì bề rộng hiệu dụng của kênh dẫn co lại. Kết quả là 
tính dẫn điện của kênh dẫn bị điều khiển bởi phân cực tại 
cực cổng.
21
Hình 6.2 (1/2)
22
Hình 6.2 (2/2)
(c) Ký hiệu cho JFET kênh N và kênh P (d) Cấu trúc cơ bản của mô hình 1 cổng
23
Hoạt động – Hiệu ứng của VGS
Hình 6.3 (a) JFET với phân 
cực cổng bằng không để 
kênh dẫn mở lớn. Dụng cụ 
như vậy được gọi là dụng cụ 
chế độ nghèo (khi hoạt động 
làm tăng miền nghèo); 
(b) Dụng cụ với phân cực 
cổng âm cho thấy sự giảm 
độ mở của kênh và giảm 
dòng điện; 
(c) Phân cực cổng âm lớn 
làm kênh dẫn bị nghẹt và 
dòng điện trong kênh dẫn là 
không (khi đó VGS = 
VGS(OFF) < 0).
24
• Để hiểu hoạt động của JFET (cũng tương tự cho MESFET) ta 
hãy xét các trường hợp ở hình 6.3. Trong hình 6.3a ta thấy 
JFET với phân cực nguồn-máng VD nhỏ và không có phân cực 
cổng. Khi phân cực cổng được tăng và diode p+-n bị phân cực 
ngược, dòng điện qua kênh dẫn giảm cho đến khi kênh dẫn bị 
“thắt” hay “nghẽn” hay “ngẹt” (pinch off) và không có hạt dẫn 
tự do trong kênh dẫn.
• Bây giờ, ta xét trường hợp phân cực cổng cố định và tăng 
phân cực máng như trong hình 6.4. Khi phân cực máng trở nên 
càng lúc càng dương hơn thì tiếp xúc p+-n gần cực máng trở 
nên bị phân cực nhiều hơn. Kết quả là kênh dẫn bị thắt ở gần 
cực máng. Ở điểm này dòng điện không thể tăng thêm được, 
ngay cả khi điện áp cực máng được tăng. Miền này được gọi là 
miền bão hòa. Một khi dụng cụ đạt đến bão hòa, dòng điện 
trong kênh dẫn giữ không đổi. 
25
Hoạt động – Hiệu ứng của VDS
Hình 6.4 Hiệu ứng của 
tăng phân cực máng với 
phân cực cổng cố định: 
(a) phân cực máng nhỏ; 
(b) tăng phân cực máng 
và kênh bị hạn chế 
nhiều hơn ở gần cực 
máng; 
(c) tăng phân cực ở cực 
máng đến điểm mà kênh 
bị thắt ở bên cực máng, 
dòng điện máng bão 
hòa.
26
Hình 6.5
27
Đặc tuyến I-V của N-JFET
(TD với VTH= –3V)
Miền tuyến tính
Quỹ tích các điểm bắt đầu bão 
hòa (nghẹt)
Miền bão hòa
Miền cắt VGS VTH = -3V
Vp = 3V
28
Tính toán ID và VD của JFET
P+
P+
N 2h
L
DrainSource
Gate
Cấu tạo của JFET kênh N
Với:
• 2h: độ rộng kênh dẫn khi chưa phân cực
• L: chiều dài kênh dẫn
• W: chiều dài bề ngang của kênh dẫn
29
Tính điện áp ngưỡng VTH (1/2)
• Trong các phần phân tích và tính toán sau, giả sử ta lấy điện thế 
tại S làm điện thế đất (VS=0).
• Nếu cực máng D được phân cực với giá trị dương nhỏ (VD>0) 
trong khi điện thế tại cổng VG=0, khi đó có dòng điện chạy từ 
nguồn S đến máng D với giá trị là
với q là điện tích điện tử, µn là độ linh động của điện tử, ND là 
nồng độ Donor trong bán dẫn N và 2(h–xn)W là tiết diện ngang
• Ta đã biết bề rộng miền nghèo bên N với chuyển tiếp P+N có trị 
xấp xĩ bằng bề rộng miền nghèo:
với NA là nồng độ acceptor trong các miền P+ và ND là nồng độ 
donor trong các miền N .
2( )n
D n D D
h x W
I q N V
L
 
2 S
n bi
D
x V
qN

 2ln
A D
bi T
i
N N
V V
n
với
30
• Nếu bây giờ ta áp đặt điện thế âm vào cực cổng (VG<0), khi đó bề 
rộng miền ngèo xn sẽ tăng lên theo công thức sau:
• Như vậy ta có thể điều chế kênh dẫn bằng cách thay đổi điện thế 
phân cực VG tại cực cổng.
• Khi tăng phân cực ngược tại cực cồng sẽ dẫn đến trường hợp 2 
miền nghèo chạm nhau, khi đó h = xn. Khi 2 miền nghèo chạm nhau, 
không có dòng điện chạy giữa S và D. Điện áp cổng lúc này được 
gọi là điện áp ngưỡng VTH (threshold voltage) định nghĩa ngưỡng 
giữa sự dẫn điện và không dẫn điện trong kênh dẫn. 
• Thay xn = h trong công thức trên ta tìm được biểu thức của điện áp 
ngưỡng 
• Chú ý: VTH 0 với JFET kênh P.
Tính điện áp ngưỡng VTH (2/2)
 2 Sn bi G
D
x V V
qN

 với VG < 0. 
2
2
D
TH G S bi
S
qN h
V V V V

lúc N-JFET tắt
31
Mô hình tính điện áp ngưỡng (VD 0)
2h
xn
32
Mô hình tính dòng điện máng ID
Xn(y)
33
Tính dòng điện máng ID
• Xét N-JFET với VG > VTH và VD >0
• Theo định luật Ohm, ta có:
• Suy ra:
• Như vậy dòng điện máng là 
( ) ( )
2( ( ))
D
y y n D
n
I dV y dV y
J E q N
h x y W dy dy
   
2( ( )) ( )D n n DI dy h x y Wq N dV y 
0
2 ( ( )) ( )
D
S
V L
n D n D D
V
q N W h x y dV y I dy I L 
 3/2 3/22
2 22
3
n D S
D D D bi G bi G
D
q N Wh
I V V V V V V
L qN h
    
 3/2 3/20 2
22
3
S
D D D bi G bi G
D
I g V V V V V V
qN h
   
0
2 n Dq N Whg
L

 với 
34
Điện áp máng bão hòa VDsat và điện áp nghẹt VP
• Chú ý là xn(y=L) > xn(y=0) vì V(y=L)=VD > V(y=0)=VS=0. Do đó khi 
tăng VD thêm nữa thì sẽ dẫn đến trường hợp 2 miền nghèo sẽ chạm 
nhau tại vị trí y = L. Giá trị VD lúc này được gọi là điện áp máng bão 
hòa VDsat. Khi đó người ta gọi kênh dẫn bị nghẹt (hay nghẽn [pinch-
off]).
• Suy ra:
• Hiệu điện thế VD–VG làm cho kênh bắt đầu nghẽn được gọi là điện 
áp nghẹt (hay nghẽn) Vp (khi đó xn(y=L)=h). Lúc kênh dẫn bắt đầu 
nghẹt thì dòng ID giữ không đổi và VD=VDsat = VG–VTH. 
Như vậy điện áp nghẹt Vp = VDsat – VG = –VTH
Giá trị tiêu biểu của Vp là 2 đến 4 V.
 2 Sn bi G
D
x y L V V V y L
qN

2 S
bi G Dsat
D
h V V V
qN

2
2
D
Dsat bi G G TH
S
qN h
V V V V V

35
Dòng điện máng bão hòa IDsat
• Thay giá trị VD=VDsat vào biểu thức của ID ta tìm được 
dòng điện máng bão hòa IDsat
2
3/2
0 2
22
6 3
SD
Dsat bi G bi G
S D
qN h
I g V V V V
qN h


  
 
 
Phương trình xấp xỉ cho ID trong miền tuyến tính
• Trong miền tuyến tính VD<<VG và VD<<Vbi, từ phương trình ID
• Nếu đặt X=VD/(Vbi-VG) và áp dụng (1+X)n 1+nX với X<<1 thì ta có 
phương trình sau:
• Phương trình có thể được đơn giản hóa hơn nữa bằng khai triển Taylor 
quanh điểm VG = VTH
36
 3/2 3/20 2
22
3
S
D D D bi G bi G
D
I g V V V V V V
qN h
   
0
2 n Dq N Whg
L

 với 
0 1
bi G
D D
po
V V
I g V
V
2
2
D
po
S
qN h
V

 với điện thế nghẹt nội
 0
2D G TH Dpo
g
I V V V
V
 khi VG VTH
• Miền bão hòa bắt đầu từ VD = VDsat = VG –VTH , từ 
phương trình ID
• Phương trình có thể được đơn giản hóa hơn nữa bằng 
khai triển Taylor quanh điểm VG = VTH
và khi đó hỗ dẫn có trị
37
Phương trình xấp xỉ cho ID trong miền bão hòa
2
3/2
0 2
22
6 3
SD
Dsat bi G bi G
S D
qN h
I g V V V V
qN h


  
 
 0
2
1
3 3
po bi G
Dsat bi G
po
V V V
I g V V
V
2
2
D
po
S
qN h
V

 với 
 20
04
Dsat G TH
p
g
I V V
V
 khi VG VTH
 0
02
D
m G TH
GS p
gdI
g V V
dV V
 khi VG VTH
38
Các ký hiệu sơ đồ JFET
Kênh N Kênh P
39
So sánh JFET và BJT
40
6.3 Đặc tuyến dòng áp của JFET
Đặc tuyến tổng quát của JFET kênh N (N-JFET)
Qui ước các ký hiệu dòng và áp trong đặc tuyến JFET:
o IDSS= dòng điện từ nguồn sang máng khi ngắn mạch ở cổng (VGS=0).
o Vp=điện áp nghẹt (pinch-off voltage) (0 với P-JFET
o VTH=VGS,off=điện áp làm tắt JFET= -Vp (khi đó ID=0)
o VDS,sat=VGS–VGS,off= VDS khi JFET bắt đầu nghẹt (vào miền bão hòa). 41
VG = 0V
VG = VTH < 0
Vp
IDSS
(a) Đặc tuyến I-V chưa xét đánh thủng (b) Đặc tuyến I-V với đánh thủng
42
Tóm tắt phương trình ID trong N-JFET tại các miền hoạt động
• VGS VTH : miền tắt ID=0
• VGS > VTH :
o VDS < VDS,sat : miền tuyến tính (còn gọi là miền Ohm, điện trở, hay triode)
Nếu thì ID là hàm tuyến tính theo VDS: (có thể hoán đổi
D và S):
Khi đó JFET tương đương với điện trở RDS (còn gọi là điện trở ON hay RDS,ON):
oVDS VDS,sat : miền bão hòa (còn gọi là miền tích cực)
2
2 1 GS DS DSD DSS
TH TH TH
V V V
I I
V V V
2
2
2
2
DSS DS
D GS TH DS
TH
I V
I V V V
V
 2DS GS THV V V 
 2
2 DSS
D GS TH DS
TH
I
I V V V
V
2
2
TH
DS
DSS GS TH
V
R
I V V
2
2
2
1DSS GSD GS TH DSS
TH TH
I V
I V V I
V V
43
Mạch đo đặc tuyến JFET kênh N
Dale R. Patrick
Electricity and Electronics: A Survey, 5e
Copyright ©2002 by Pearson Education, Inc.
Upper Saddle River, New Jersey 07458
All rights reserved.
44
Đặc tuyến ra của JFET
45
Đặc tuyến truyền đạt
– similar shape for all forms of FET – but with a different offset
– not a linear response, but over a small region might be 
considered to approximate a linear response
46
Dải làm việc bình thường của FET
47
Hổ dẫn gm
• When operating about its operating point we can 
describe the transfer characteristic by the change in 
output that is caused by a certain change in the input
– this corresponds to the slope of the earlier curves
– this quantity has units of current/voltage, which is the reciprocal 
of resistance (this is conductance)
– since this quantity described the transfer characteristics it is 
called the transconductance, gm
Note:
GS
D
m V
I
 g
GS
D
m V
I
 g
TD: Xét đặc tuyến thật của N-JFET 2N4339
48
Đặc tuyến ra của N-JFET 2N4339
49
(b) Miền triode(a) Đặc tuyến ra
50
Đặc tuyến truyền đạt của N-JFET 2N4339
VTH
Vẽ đặc tuyến truyền đạt từ đặc tuyến ra
JFET Transfer Characteristic Curve JFET Characteristic Curve
51
52
Tóm tắt đặc tuyến I-V của N-JFET
Đặc tuyến truyền đạt Đặc tuyến ra
Miền làm việc:
VTH 0
Với vDS 0
 Miền I (miền tuyến tính)
Với vDS vGS–VTH và vGS –VTH > 0 
 Miền II (miền bão hòa)
N-JFET
Miền tắt: vGS VTH
vDS=vGS-VTH
VTH
2
2
2
2
DSS DS
D GS TH DS
TH
I V
I V V V
V
2
1 GSD DSS
TH
V
I I
V
VTH
VTH
53
Đặc tuyến truyền đạt Đặc tuyến ra
Với vDS > vGS–VTH và vGS –VTH < 0
 Miền I (miền tuyến tính)
Với vDS vGS–VTH và vGS –VTH < 0
 Miền II (miền bão hòa)
P-JFET
Miền làm việc:
VTH > vGS 0, vDS<0
Miền tắt: vGS VTH
Tóm tắt đặc tuyến I-V của P-JFET
2
1 GSD DSS
TH
V
I I
V
2
2
2
2
DSS DS
D GS TH DS
TH
I V
I V V V
V
vDS=vGS-VTH
VTH
54
Miền làm việc an toàn của N-JFET
1. PD, max : công suất tiêu tán cho phép tối đa.
vDS iD< PD, max
2. VDS, max : điện áp đánh thủng ngược
vDS < VDS, max
3. ID, max: dòng máng tối đa
iD < ID, max
55
• Use the I-V characteristic curves of BJT and MOSFET
• Use the regions of operation of these transistors 
– BJT
• Cutoff Region
• Active Linear Region
• Saturation Region
– JFET/MOSFET
• Cutoff Region
• Ohmic or Triode Region
• Saturation (Active Region)
Transistors as Amplifiers and Switches
Switch operation
Amplifier operation
Switch operation
Amplifier operation
TD 1: Tìm miền hoạt động của JFET
• N-JFET có IDSS = 10mA và VTH = -5V. Hãy cho biết miền hoạt động 
của JFET này nếu người ta đo được các điện thế tại D, G và S so 
với đất trong các trường hợp sau:
a) VD=5V, VG=3V, và VS=4V.
b) VD=4V, VG=2V, và VS=7V.
c) VD=6V, VG=1V, và VS=5V.
• Bài giải. Với N-JFET ta phải xét các điện áp sau:
o VGS VTH : miền tắt ID=0
o VGS > VTH : (VDSsat = VGS – VTH)
 VDS < VDS,sat : miền tuyến tính 
 VDS VDS,sat : miền bão hòa
56
TH VD VG VS VGS VDSsat VDS Miền hoạt động
a 5V 3V 4V -1V 4V 1V Tuyến tính
b 4V 2V 7V -5V Tắt
c 6V 1V 5V -4V 1V 1V Bão hòa
TD 2: Tìm điểm tĩnh Q của N-JFET (1/2)
Mạch tự phân cực
• N-JFET trong hình có IDSS=5mA và VTH = -3V. Mạch này có VDD=15V, 
RD=5K, RG=1M, và RS=1K. Hãy tìm IDQ và VGSQ?
• Bài giải.
Vì dòng cổng bằng không (do phân cực ngược cổng và kênh dẫn):
VGS = –RSID (1)
Giả sử N-JFET ở chế độ bão hòa (VGS>VTH=–3V và VDS 
VDS,sat=VGS–VTH), nếu sau khi tính xong mà giả thiết này không thỏa 
thì ta phải chọn giả thiết khác!
(2)
57
2
1 GSD DSS
TH
V
I I
V
D
S
G
Mạch tự phân cực
Kết hợp phương trình (1) và (2) ta có phương trình bậc 2 theo ID 
hoặc theo VGS. Nếu chọn biến là ID là có phương trình sau:
RS2IDSSID2 + ( 2RSIDSSVp –Vp2) ID + IDSSVP2=0
Giải phương trình trên tìm được 2 nghiệm:
ID 6.392mA (loại vì > IDSS), và 
ID 1.408mA (nhận vì 0 < ID < IDSS) 
 IDQ =1.408mA VGSQ = –RSIDQ = –1.408V > VTH
Kiểm chứng lại giả thiết: 
VDS = VDD – ID(RD + RS) = 15 – 1.408mA (5K + 1K)= 6.552V 
VDS = 6.552V > VDSsat = VGS–VTH= 1.592V
Như vậy nghiệm là IDQ = 1.408mA và VGSQ = –1.408V
58
TD 2: Tìm điểm tĩnh Q của N-JFET (2/2)
Mạch tự phân cực
TD 3: Tìm điểm tĩnh Q của N-JFET (1/2)
Mạch phân cực bằng cầu chia áp
59
Sau khi biến đổi tương đương
Thévenin cho mạch phân cực cổng 
với VG=VDDR2/(R1+R2) = V1
và 
RG=R1//R2
Vì dòng cổng bằng không, ta có
VGS = VG - VS = V1 - IDRS
Sau đó thay VGS vào phương trình ID
ở miền bão hòa để tìm ID và VGS.
D
S
G
60
• MESFET là một lớp transistor quan trọng được sử dụng 
nhiều trong các ứng dụng xử lý tín hiệu tốc độ cao cũng 
như các mạch vi ba. Dụng cụ này có thể được chế tạo 
tin cậy bằng các bán dẫn GaAs và InP.
• MESFET sử dụng rào kim loại Schottky để điều chế điện 
tích tự do trong kênh dẫn bằng cách thay đổi bề rộng 
miền nghèo trong kênh dẫn.
• MESFET là dụng cụ được chế tạo tương đối đơn giản 
và có cấu hình như chỉ ở hình 6.6. Các vật liệu thông 
dụng cho MESFET là GaAs và InP. Vật liệu đế cho 
MESFET GaAs là GaAs nửa cách điện có điện trở cao 
mà được chế tạo bằng cách đưa vào một cách cẩn thận 
các tạp chất mà có các mức năng lượng gần dãi giửa 
của GaAs. 
61
Hình 6.6. Sơ đồ MESFET GaAs 
62
(a) Khi không có phân cực 
nguồn-máng, bề rộng miền 
nghèo đều và bị điều khiển 
bởi phân cực cổng. 
(b) Khi có phân cực nguồn-
máng, bề rộng miền nghèo 
nhiều hơn về phía cực 
máng. 
Hình 6.7. Sơ đồ của MESFET cho thấy bề rộng miền nghèo ở dưới cực cổng 
63
• Các tiếp xúc ở nguồn và máng là các tiếp xúc thuần trở và cổng 
được tạo thành bởi rào Schottky. Hoạt động của dụng cụ này 
tuân theo lý thuyết vận chuyển hơi phức tạp đặc biệt trong các 
vật liệu như GaAs mà ở đó các quan hệ vận tốc-trường hoàn 
toàn phức tạp. Chúng ta sẽ xét một mô hình được đơn giản hóa 
nhằm minh họa hoạt động của MESFET. Trước khi giới thiệu các 
tính toán mô hình, chúng ta hãy xem lại tính chất vật lý trong hoạt 
động của dụng cụ.
• Trong hình 6.7 cho ta thấy mặt cắt ngang của MESFET cùng với 
bề rộng miền nghèo ở dưới cực cổng. Khi không có phân cực 
nguồn-máng, bề rộng miền nghèo đều như ở hình 6.7a. Nếu 
phân cực cổng được làm cho âm hơn, bề rộng miền nghèo trãi 
rộng thêm vào miền tích cực cho đến khi kênh dẫn bị làm nghèo 
hoàn toàn. Như vậy khi ta tăng phân cực cổng (tới các giá trị 
âm), toàn bộ điện tích khả dụng cho sự dẫn điện giảm dần cho 
đến khi kênh dẫn bị nghẽn. Sự điều khiển cổng này tương tự với 
điều khiển ở JFET như ở hình 6.3. Nếu phân cực ở cực máng 
được tăng thì miền nghèo trở nên lớn hơn về phía cực máng như 
ở hình 6.7b.
64
• Nếu phân cực cổng cố định và điện áp máng được tăng 
đến các giá trị dương, dòng điện bắt đầu chạy vào kênh 
dẫn. Ban đầu dụng cụ hoạt động như một điện trở. Tuy 
nhiên, khi điện áp máng được tăng, bề rộng miền nghèo 
hướng đến cực máng bắt đầu tăng vì hiệu điện thế giữa 
cực cổng và cực máng tăng. Rồi kênh dẫn bắt đầu 
nghẽn ở cực máng. Khi điều này xảy ra, dòng điện bắt 
đầu bão hòa. Cuối cùng ở các giá trị phân cực máng rất 
lớn, dụng cụ “đánh thủng” và dòng điện tăng nhanh.
• Giải tích đầy đủ dòng điện thì hơi phức tạp, ngay cả 
trong bài tóan 1 chiều bởi vì người ta cần giải các 
phương trình liên tục và Poisson. Chúng ta đơn thuần sẽ 
xét mô hình mà cho hình ảnh nửa định lượng.
65
Giả thiết cho mô hình toán (1/2)
Ta có các giả thiết cho mô hình của chúng ta:
• Độ linh động của các điện tử là hằng số và độc lập với điện trường. Ta 
biết rằng điều này chỉ đúng ở các điện trường thấp. Ở các điện trường cao, 
vận tốc của các điện tử bão hòa, và trong trường hợp các vật liệu như 
GaAs, có miền điện trở âm. Do đó, sự giải tích chỉ hợp lý nếu trường trong 
kênh ( xấp xỉ bằng phân cực máng chia cho chiều dài kênh dẫn) nhỏ hơn 2-
3KV/cm. Vì đây là điều không đúng với các dụng cụ hiện đại, do đó giải tích 
chỉ nửa định lượng và giúp hiểu hoạt động của dụng cụ.
• Chúng ta giả sử xấp xỉ kênh biến đổi đều được giới thiệu bởi 
Shockley. Khi không có bất cứ phân cực nguồn-máng, bề rộng miền nghèo 
được cho bởi mô hình 1 chiều như với diode p-n. Tuy nhiên, chặt chẽ hơn 
khi có phân cực nguồn-máng, người ta phải giải bài tóan 2 chiều để tìm bề 
rộng miền nghèo và tiếp theo là dòng điện. Trong xấp xỉ kênh biến đổi đều, 
ta giả sử rằng trường theo hướng từ cực cổng đến miền đế mạnh hơn nhiều 
trường từ nguồn đến máng., nghĩa là điện thế thay đổi “chậm” dọc theo 
kênh dẫn khi so với sự biến đổi điện thế theo hướng từ cực cổng đến miền 
đế. Như vậy bề rộng miền nghèo ở điểm x dọc theo kênh dẫn được cho bởi 
điện thế ở điểm mà dùng các kết quả mô hình 1 chiều đơn giản. Sự xấp xỉ 
này đúng nếu chiều dài cổng L lớn hơn độ sâu kênh h.
66
 Xấp xỉ miền nghèo, nghĩa là ta giả sử rằng không có hạt dẫn 
trong miền nghèo, và bên ngoài miền nghèo mật độ hạt dẫn 
bằng mật độ donor được ion hóa. Ta sẽ giả sử là ion hóa hoàn 
toàn các donor và pha tạp chất đều trong kênh dẫn. Một khi 
dụng cụ đạt đến miền bão hòa, sự xấp xỉ này bị phá vỡ. Ta sẽ 
bàn chi tiết hơn về chế độ bão hòa ở phần sau.
Giả thiết cho mô hình toán (2/2)
67
Tính dòng điện máng ID
68
69
70
71
Đặc tuyến I-V tiêu biểu của MESFET kênh N
Miền 
tuyến 
tính
Miền bão hòa
Miền
đánh thủng
Quỹ tích của VDSsat
Chế độ giàu
Chế độ nghèo
72
6.4 Các hiệu ứng thứ cấp
• Điều chế chiều dài kênh dẫn
• Đánh thủng
• Sự thay đổi trong độ linh động
• Ảnh hưởng của nhiệt độ
73
Điều chế chiều dài kênh dẫn
• Xét N-JFET ở miền bão hòa, nếu tăng VDS thì ID sẽ tăng, vì khi tăng 
VDS dẫn đến L giảm (chiều dài hiệu dụng của kênh dẫn N) điện 
trở kênh dẫn giảm hay ID tăng. Hiệu ứng này tương tự với điều chế 
miền nền trong BJT. Do đó tất cả các đặc tuyến ở miền bão hòa khi 
kéo dài ra đến trục hoành thì đều giao nhau cùng 1 điểm trên trục 
hoành, ứng với điện áp Early VA (VDS=-VA). VA thực tế có trị từ 30V 
đến 200V. Dòng ID phụ thuộc vào VDS và có dạng
• Như vậy tại điểm tỉnh Q trong miền bão hòa thì JFET có điện trở ra 
là:
2
1 1GS DSD DSS
TH A
V V
I I
V V
0
A DSQ A
DQ DQ
V V V
r
I I
74
Đánh thủng
Đánh thủng cố định 
VBR = VD - VG
Đánh thủng thác lũ xảy ra trong JFET khi phân cực ngược tại chuyển tiếp cổng-
kênh dẫn (chỗ đầu cực máng của kênh) bằng điện áp đánh thủng của chuyển tiếp,
BV = BVDG0 – VGS
BVDG0
BV=BVDG0 – VGS
(TD này có VS=0)
75
Sự thay đổi trong độ linh động 
• Khi điện trường có giá trị lớn thì vận trôi không tăng nữa, 
dẫn đến độ linh động giảm. Trong JFET kênh dẫn ngắn với 
điện áp ở máng cố định, khi tăng điện trường tại cổng thì 
làm giảm độ linh động hay làm giảm dòng ID so với giả thiết 
ban đầu độ linh động là hằng số.
76
Ảnh hưởng của nhiệt độ
• Nhiệt độ tăng làm độ linh động giảm dòng ID giảm khi 
nhiệt độ tăng.