Bài giảng Kỹ thuật điện tử (Phần 2)

Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
47 
Bài 4: 
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT 
4.1 Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo 
Ở chế độ B, transistor sẽ điều khiển dòng điện ở mỗi nửa chu kỳ của tín hiệu. Để thu 
được cả chu kỳ tín hiệu ra, thì cần sử dụng 2 transistor , mỗi transistor được sử dụng ở 
mỗi nửa chu kỳ khác nhau của tín hiệu, sự vận hành kết hợp sẽ cho ra chu kỳ đầy đủ 
của tín hiệu và mạch điện trên được gọi là mạch khuếch đại công suất đẩy kéo. 
Sơ đồ khối: 
4.2 Mạch OCL 
Mạch chỉcó một tín hiệu ở ngõ vào nên phải dùng hai transistor công suất khác 
loại: một NPN và một PNP. Khi tín hiệu áp vào cực nền của hai transistor, bán kỳdương 
làm cho transistor NPN dẫn điện, bán kỳâm làm cho transistor PNP dẫn điện. Tín hiệu 
nhận được trên tải là cảchu kỳ. 
BA
Ù
KE
Á
UU
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
48 
Cũng giống nhưmạch dùng biến thế, mạch công suất không dùng biến thếmắc 
nhưtrên vấp phải sựbiến dạng cross-over do phân cực chân B bằng 0v. Ðểkhắc phục, 
người ta cũng phân cực mồi cho các chân B một điện thếnhỏ(dương đối với transistor 
NPN và âm đối với transistor PNP). Ðể ổn định nhiệt, ở2 chân E cũng được mắc thêm 
hai điện trởnhỏ. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
49 
4.2 Mạch OTL 
a. Sơ đồ mạch điện: 
Mạch điện gồm có: 2 transisstor T1 và T2, 2 biến áp BA1 và BA2, các điện trở R1, R2, Rt 
và nguồn cung cấp Ucc. 
T1 và T2: là hai BJT cùng loại NPN có tham số giống hệt nhau (β1 = β2 = β) là thành 
phần tích cực trong mạch, làm nhiệm vụ khuếch đại. 
Biến áp BA1: có hai nửa cuộn thứ cấp bằng nhau, có nhiệm vụ tạo ra hai điện áp ngược 
pha để kích thích cho T1 và T2 
Biến áp BA2: có hai nửa cuộn sơ cấp W21 và W22 bằng nhau: để lấy ra trên W2 điện áp 
ở cả 2 nửa chu kỳ 
R1 và R2: là hai điện trở định thiên cho T1 và T2, nếu mạch làm việc ở chế độ B thì chỉ 
cần mắc R2 
Rt: là điện trở tải, điện áp lấy ra chính là sụt áp trên Rt 
Ucc: là nguồn điện cung cấp cho mạch làm việc 
R 
U
B B
T 
T 
U
R 
R 
W W
W
W W
W
U 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
50 
b. Nguyên lý hoạt động 
Khi có tín hiệu vào, giả thiết tín hiệu vào có dạng hình sin, do cách cấu tạo của biến áp 
BA1 nên ở 2 cuộn thứ cấp của nó sẽ có hai nửa điện áp có biên độ bằng nhau nhưng 
ngược pha nhau 
Ở nửa chu kỳ dương của tín hiệu, 2 cuộn thứ cấp của BA1 sẽ có hai nửa điện áp có biên 
độ bằng nhau nhưng ngược pha nhau đặt vào T1 và T2 làm T1 thông, T2 tắt. 
R
1
U
BA
BA
 T
1
T
2
U
cc
R
t
R
2
W
1
 W
2
W
1
W
1
W
2
W
2
U
r
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
51 
- T1 thực hiện KĐCS, trong mạch colectơ của T1 có dòng xoay chiều IC1 chạy từ : 
+UCC → W21 → CE của T1→ -UCC 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
52 
Do cấu tạo của biến áp BA2 nên IC1 cảm ứng sang W2 làm cho trên W2 sinh ra một suất 
điện động cảm ứng, trên Rt có dòng điện IRt chạy qua, đầu ra ta nhận được một điện áp 
ở bán chu kỳ dương. Trên tải ta có nửa sóng điện áp dương. 
R1 
Uv 
BA1 BA2 
T1 
T2 
Ucc 
Rt 
R2 
W1 W2 
W11 
W12 W22 
W21 
Ur 
ic1 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
53 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
54 
- Khi tín hiệu vào ở nửa chu kỳ âm thì trên cuộn thứ cấp BA1 điện áp đổi dấu dẫn 
đến T1 tắt T2 thông, T2 thực hiện KĐCS, trong mạch colectơ của T2 có dòng 
xoay chiều IC2 chạy từ : +UCC → W22 → CE của T2→ -UCC 
- Do cấu tạo của biến áp BA2 nên IC2 cảm ứng sang W2 làm cho trên W2 sinh ra một 
suất điện động cảm ứng, trên Rt có dòng chảy qua, đầu ra ta nhận được một điện áp ở 
bán chu kỳ âm. Trên tải ta có nửa sóng điện áp âm. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
55 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
56 
- Như vậy quá trình KĐ được thực hiện theo hai nửa chu kỳ của tín hiệu vào, nửa chu 
kỳ đầu T1 làm việc, nửa chu kỳ sau T2 làm việc, cứ như vậy hai transistor thay nhau làm 
việc, trên tải ta nhận được tín hiệu có đủ chu kỳ và được KĐ lên K lần. 
Hình 1.7.12 Giản đồ thời gian các giá trị trong mạch 
* Nhận xét : 
• - Ưu điểm: 
• + Ở chế độ tĩnh sẽ không tiêu thụ dòng do nguồn cung cấp nếu không có tổn hao 
trên transistor 
• + Hiệu suất của mạch cao ( ¡Ư 78,5 %) 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
57 
• - Khuyết điểm: 
• + Dải tần hẹp, mạch cồng kềnh, yêu cầu tính đối xứng cao, giá thành cao. 
• + Méo xuyên tâm lớn khi tín hiệu vào nhỏ 
Nguyên nhân là do tính không đường thẳng ở đoạn đầu đặc tuyến vào của BJT khi dòng 
bazơ còn nhỏ. Đó là hiện tượng méo xuyên tâm, do đó IC1, IC2 và điện áp ra cũng bị 
méo. 
Đặc tuyến ra ở chế độ B 
Để giảm méo triệt để hơn, người ta cho mạch đẩy kéo làm việc ở chế độ AB với thiên 
áp ban đầu được xác định bằng cặp R1, R2 . Khi đó đặc tuyến của mạch được biểu diễn 
trên hình sau 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
58 
Đặc tuyến ra ở chế độ AB 
Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo ghép biến áp thường được sử dụng làm tầng khuếch 
đại cuối trước khi đưa tới tải là loa trong máy tăng âm (dải tần công tác 20Hz – 20kHz) 
Vị trí của mạch KĐCS trong máy tăng âm 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
59 
Bài 5: 
MẠCH KHUẾCH ĐẠI VI SAI 
5.1 Mạch khuyếch đại vi sai: (differential amplifier) 
5.1.1 Dạng mạch căn bản: 
Một mạch khuếch đại vi sai căn bản ở trạng thái cân bằng có dạng như hình 6.27 
Có 2 phương pháp lấy tín hiệu ra: 
Phương pháp ngõ ra visai: Tín hiệu được lấy ra giữa 2 cực thu. 
Phương pháp ngõ ra đơn cực: Tín hiệu được lấy giữa một cực thu và mass. 
Mạch được phân cực bằng 2 nguồn điện thế đối xứng (âm, dương) để có các điện 
thế ở cực nền bằng 0volt. 
Người ta phân biệt 3 trường hợp: 
a. Khi tín hiệu vào v1 = v2 (cùng biên độ và cùng pha) 
Do mạch đối xứng, tín hiệu ở ngõ ra va = vb 
 Như vậy: va = AC . v1 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
60 
 vb = AC . v2 
Trong đó AC là độ khuếch đại của một transistor và được gọi là độ lợi cho tín 
hiệu chung (common mode gain). 
Do v1 = v2 nên va = vb. Vậy tín hiệu ngõ ra visai va - vb =0. 
b. Khi tín hiệu vào có dạng visai: 
Lúc này v1 = -v2 (cùng biên độ nhưng ngược pha). 
Luc đó: va = -vb. 
Do v1 = -v2 nên khi Q1 chạy mạnh thì Q2 chạy yếu và ngược lại nên va vb. 
Người ta định nghĩa: 
va - vb = AVS( v1 - v2 ) 
AVS được gọi là độ lợi cho tín hiệu visai (differential mode gain). Như vậy ta 
thấy với ngõ ra visai, mạch chỉ khuếch đại tín hiệu vào visai (khác nhau ở hai ngõ vào) 
mà không khuếch đại tín hiệu vào chung (thành phần giống nhau). 
c. Trường hợp tín hiệu vào bất kỳ: 
Người ta định nghĩa: 
Thành phần chung của v1 và v2 là: 
Thành phần visai của v1 và v2 là: 
 vVS = v1 - v2 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
61 
Thành phần chung được khuếch đại bởi AC (ngỏ ra đơn cực) còn thành phần 
visai được khuếch đại bởi AVS. 
Thông thường |AVS| >>|AC|. 
5.1.2 Mạch phân cực: 
Phương trình này xác định điểm điều hành trên đường thẳng lấy điện. 
Khi mạch tuần hoàn đối xứng, điện thế 2 chân B bằng 0V nên: 
5.1.3 Khảo sát thông số của mạch: 
 Ta thử tìm AC, AVS, tổng trở vào chung ZC, tổng trở vào visai ZVS. 
a Mạch chỉ có tín hiệu chung: 
 Tức v1 = v2 và va = vb 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
62 
Do mạch hoàn toàn đối xứng, ta chỉ cần khảo sát nữa mạch, nên chú ý vì có 2 
dòng ie chạy qua nên phải tăng gấp đôi RE. 
Phân giải như các phần trước ta tìm được: 
b. Mạch chỉ có tín hiệu visai: 
Tức v1 = -v2 và va = -vb 
Như vậy dòng điện tín hiệu luôn luôn ngược chiều trong 2 transistor và do đó 
không qua RE nên ta có thể bỏ RE khi tính AVS và ZVS. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
63 
Người ta thường để ý đến tổng trở giữa 2 ngõ vào cho tín hiệu visai hơn là giữa 
một ngõ vào với mass. Giá trị này gọi là Z’VS. 
 Khi có RB thì ZVS = Z’VS //2RB 
Hệ thức này chứng tỏ giữa 2 ngõ vào chỉ có một dòng điện duy nhất chạy qua. 
Từ đó người ta định nghĩa: 
c. Mạch có tín hiệu tổng hợp: 
Với v1, v2 bất kỳ ta có cả thành phần chung vC và thành phần visai AVS. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
64 
Nếu lấy tín hiệu giữa hai cực thu thì thành phần chung không ảnh hưởng, tức là: 
 va - vb = AVS( v1 - v2 ) 
Nếu lấy tín hiệu từ một trong hai cực thu xuống mass: 
Dấu - biểu thị hai thành phần visai ở hai cực thu luôn trái dấu nhau. 
5.2 Mạch khuếch đại thuật toán 
5.2.1 Cấu tạo 
Khuếch đại thuật toán (KĐTT) ngày nay được sản xuất dưới dạng các IC tương 
tự (analog). Có từ "thuật toán" vì lần đầu tiên chế tạo ra chúng người ta sử dụng chúng 
trong các máy điện toán. Do sự ra đời của khuếch đại thuật toán mà các mạch tổ hợp 
analog đã chiếm một vai trò quan trọng trong kỹ thuật mạch điện tử. Trước đây chưa 
có khuếch đại thuật toán thì đã tồn tại vô số các mạch chức năng khác nhau. Ngày nay, 
nhờ sự ra đời của khuếch đại thuật toán số lượng đó đã giảm xuống một cách đáng kể 
vì có thể dùng khuếch đại thuật toán để thực hiện các chức năng khác nhau nhờ mạch 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
65 
hồi tiếp ngoài thích hợp. Trong nhiều trường hợp dùng khuếch đại thuật toán có thể tạo 
hàm đơn giản hơn, chính xác hơn và giá thành rẻ hơn các mạch khuếch đại rời rạc (được 
lắp bằng các linh kiện rời ) . 
Ta hiểu khuếch đại thuật toán như một bộ khuếch đại lý tưởng : có hệ số khuếch 
đại điện áp vô cùng lớn K → ∞, dải tần số làm việc từ 0→ ∞, trở kháng vào cực lớn Zv 
→ ∞, trở kháng ra cực nhỏ Zr → 0, có hai đầu vào và một đầu ra. Thực tế người ta chế 
tạo ra KĐTT có các tham số gần được lý tưởng. Hình 7.5a là ký hiệu của KĐTT : 
Đầu vào (+) gọi là đầu vào không đảo P(positive), đầu vào (-) gọi là đầu vào 
đảo N (negative), (VS+) điện áp nguồn dương, (VS-) điện áp nguồn âm và một đầu ra 
(VOut). 
KĐTT ngày nay có thể được chế tạo như một IC hoặc nằm trong một phần của 
IC đa chức năng . 
Cấu tạo của KĐTT. Để đạt được các chỉ tiêu kỹ thuật gần với dạng lý tưởng các 
hãng điện tử trên thế giới chế tạo các IC KĐTT khá đa dạng nhưng nhìn chung đều tuân 
thủ sơ đồ khối như ỏ hình 7.6 
Để có đầu vào đối xứng tầng đầu tiên bao giờ cũng là tầng khuếch đại vi sai đối 
xứng có dòng tĩnh nhỏ, trở kháng vào lớn, cho phép mắc thêm mạch bù trôi . 
Tầng thứ hai là tầng khuếch đại vi sai cho phép chuyển từ đầu vào đối xứng sang 
đầu ra không đối xứng. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
66 
Các tầng trung gian nhằm khuếch đại tín hiệu lên đủ lớn để có thể kích thích cho 
tầng cuối. 
Tầng cuối tức tầng ra phải đảm bảo có dòng ra lớn, điện áp ra lớn và điện trở ra nhỏ. 
Mạch này thường là khuếch đại đẩy kéo có bù kèm theo mạch chống qua tải. 
Trong KĐTT ghép giữa các tầng thực hiện trực tiếp (colectơ của tầng trước nối 
trực tiếp với base của tầng sau) vì vậy các transistor n-p-n càng về sau càng có điểm 
công tác tĩnh đẩy dần về phía các giá trị dương nguồn.Vì vậy phải có một mạch dịch 
mức đẩy lùi điểm tĩnh về phía âm nằm trong một mạch nào đó của KĐTT. 
Ví dụ ta xét KĐTT hình 7.7.KĐTT ở đây có thể phân thành 4 tầng như sau: 
Tầng thứ nhất là tầng KĐVS đối xứng trên T1 và T2. Để tăng trở kháng vào chọn 
dòng colectơ và emitter của chúng nhỏ, sao cho hỗ dẫn truyền đạt nhỏ. Có thể thay T1 
và T2 bằng transistor trường để tăng trở kháng vào T3, T4, R3, R4, và R5 tạo thành nguồn 
dòng tương tự như hình 7.2a (ở đây T4 mắc thành điôt để bù nhiệt ) 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
67 
Tầng thứ hai là KĐVS đầu vào đối xứng, đầu ra không đối xứng: emitter của 
chúng cũng đấu vào nguồn dòng T3. Tầng này có hệ số khuếch đại điện áp lớn. 
Tầng thứ ba là tầng ra khuếch đại đẩy kéo T9 – T10 mắc colectơ chung, cho hệ số 
khuếch đại công suất lớn, trở kháng ra nhỏ. 
Giữa tầng thứ hai và tầng ra là tầng đệm T7,T8 nhằm phối hợp trở kháng giữa 
chúng và đảm bảo dịch mức điện áp. ở đây T7 là mạch lặp emitter, tín hiệu lấy ra trên 
một phần của tải là R9 và trở kháng vào của T8 . Tầng T8 mắc emitter chung. Chọn R9 
thích hợp và dòng qua nó thích hợp sẽ tạo được một nguồn dòng đưa vào base của T8 
sẽ cho mức điện áp một chiều thích hợp ở base của T9 và T10 để đảm bảo có điện áp 
ra bằng 0 khi không có tín hiệu vào . Mạch ngoài mắc thêm R10, C1, C2 để chống tự 
kích. 
5.2.2 Các tham số của KĐTT 
Hệ số khuếch đại hiệu Ko được xác định theo biểu thức: 
Theo lý thuyết Ko = ∞ , thực tế Ko = 103 ÷ 106 
Đặc tính biên độ tần số : Theo lý thuyết thì đặc tính biên độ tần số sẽ là K0 trong suốt 
dải tần số từ 0 ÷ ∞. Thực tế đặc tính tần số sẽ gục xuống ở tần số fC do tồn tại các điện 
dung ký sinh tạo thành những khâu lọc RC thông thấp mắc giữa các tầng. Tuỳ theo từng 
loại KĐTT mà dải thông có thể từ 0 tới vài MHz hoặc cao hơn. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
68 
Hệ số khuếch đại đồng pha KCm 
 Nếu đặt đầu vào thuận P và đầu đảo N các điện áp bằng nhau: 
UP = UN = UCm ≠ 0 thì Uh = 0. 
Theo định nghĩa 
Thì Ur = 0 . Tuy nhiên thực tế không như vậy mà quan hệ giữa Kcm và Ucm có 
dạng như hình 7.8. 
Hệ số khuếch đại đồng pha được định nghĩa là : 
KCm nói chung phụ thuộc vào mức điện áp vào đồng pha. Giá trị cực đại của điện 
áp vào đồng pha cho trong các sổ tay của IC cho biết giới hạn của điện áp vào đồng pha 
cực đại để hệ số khuếch đại đồng pha không vượt quá phạm vi cho phép. Lý tưởng Kcm= 
0 ,thực tế KCm luôn nhỏ hơn K0 
- Điện trở vào hiệu, điện trở vào đồng pha: 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
69 
Điện trở vào hiệu rh và điện trở vào đồng pha rcm được định nghĩa theo (7.23) và (7.24): 
Điện trở ra của KĐTT đánh giá sự biến thiên của điện áp ra theo tải : 
- Dòng vào tĩnh, điện áp vào lệch không : 
 Dòng vào tĩnh trung bình It là: 
Dòng vào lệch không là I0: 
Dòng vào lệch không là dòng phụ thuộc vào nhiệt độ. Nhiệt độ thay đổi làm trôi dòng 
lệch không. 
Trong KĐTT thực tế thì khi UN = Up = 0 vẫn có Ur ≠ 0. Lúc này Ur ≠ 0 là do điện 
áp lệch không ở đầu vào gây nên. Vì vậy người ta định nghĩa điện áp lệch không U0 là 
hiệu điện áp cần phải đặt giữa hai đầu vào để có điện áp ra bằng không 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
70 
5.2.3 Các sơ đồ mắc cơ bản của KĐTT 
Khi sử dụng KĐTT trong các mạch điện người ta thường sử dụng hồi tiếp âm mà 
không dùng hồi tiếp dương vì hồi tiếp dương làm cho khuếch đại làm việc ở chế độ 
bão hòa. Trong một số trường hợp có thể dùng cả hồi tiếp âm và hồi tiếp dương với hồi 
tiếp dương luôn nhỏ hơn hồi tiếp âm. Về đầu vào , có thể sử dụng một hoặc cả hai đầu 
vào. 
Các sơ đồ khuếch đại đảo 
 + Sơ đồ biến đổi điện áp - điện áp 
Mạch mắc như hình 7.9a.Vì K0 →∞ nên điện áp ở đầu vào N là UN ≈ Uh ≈ 0 , điểm N 
có thể coi là điểm đất giả Ur ≈ URN ,Uv ≈ UR1. Định luật Kiếc-khốp 1 viết cho nút N 
là : 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
71 
Từ (7.30) ta thấy điện áp Uv được biến đổi thành hệ số khuếch đại 
 điện áp ra ngược pha so với điện áp vào. Điện trở RN gây hồi tiếp âm song 
song theo điện áp làm cho hệ số khuếch đại từ K0 giảm xuống còn là 
Nhược điểm của sơ đồ hình 7.8a là có nhỏ. Để khắc phục nhược điểm 
này ta mắc mạch như hình 7.8b. 
Theo (7.38) muốn có hệ số khuếch đại K lớn thì phải chọn R1 nhỏ. Nếu chọn R1 = R2 
thì: 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
72 
Để tăng trở kháng ZV = R1 có thể chọn R1 lớn tuỳ ý, khi đó hệ số khuếch đại sẽ được 
xác định bởi 
+ Sơ đồ biến đổi dòng điện - điện áp hình 7.10 Sơ đồ này biến đổi dòng điện đầu 
vào thành điện áp đầu ra tỷ lệ với nó.Tương tự như trên vì K0 = ∞; UN ≈ UP ≈ 0, rh 
→∞nên dòng IN = 0 nên định luật Kiêc-khốp I viết cho nút N sẽ là: 
5.2.4 Các sơ đồ khuếch đại không đảo. 
+ Xét sơ đồ mạch thông dụng điện áp - điện áp hình 7.11a. 
Với K0 →∞, rh →∞nên Uh = 0 nghĩa là UN = UV và dòng vào bằng không. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
73 
Các mạch hình 7.11b,c là các mạch khuếch đại lặp (điện áp): vì Ud = 0 nên UN=UP, vì 
IN = 0 , dòng qua RN bằng 0 và thế điểm ra bằng thế điểm N nên: 
Các mạch bù trôi và đặc tính tần số trong KĐTT. 
a. Các mạch bù trôi. 
 Khi dùng KĐTT để khuếch đại tín hiệu một chiều nhỏ ,các sai số chủ yếu sẽ do 
dòng điện tĩnh, điện áp lệch không và hiện tượng trôi gây ra. Các dòng điện đầu vào IN 
và IP ở đầu vào của KĐTT chính là các dòng base tĩnh của KĐVS ở đầu vào. 
Dòng tĩnh IN và IP xấp xỉ bằng nhau, gây nên sụt áp ở các đầu vào. 
Do trở kháng đầu vào N và P không đồng nhất nên các sụt áp này cũng không 
bằng nhau. Hiệu điện thế ở đầu N và đầu P chính là điện áp lệch không. Để cho điện 
áp lệch không nhỏ người ta không đấu đầu P ( không đảo) trực tiếp xuống đất mà đấu 
qua điện trở R2 như hình 7.12. Điện trở RP có trị số bằng điện trở của vào đảo N: 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
74 
Lúc đó áp một chiều trên đầu vào N và P là IN .( R1 // RN) và IP .(R1 // RN); IP = 
IN nên hai điện áp này xấp xỉ nhau. Tuy nhiên do dòng IN ≠ IP nên I0 = IP - IN sẽ gây 
nên một điện áp lệch không ở đầu vào là U0 = ( IP - IN) (R1 // RP). Điện áp này sẽ gây 
nên một điện áp lệch không ở đầu ra: 
Để triệt điện áp lệch không ở đầu ra UR người ta mắc nguồn có hai cực tính như ở hình 
7.13. ở hình 7.13 a,b chỉnh triết áp P về phía nguồn + hoặc - tuỳ theo cực tính của U0 
= UP - UN là âm hoặc dương. Trường hợp cần sử dụng cả hai cửa vào thì mạch bù được 
mắc ở cửa khác có liên hệ với cửa vào như ở hình 7.13c. Trong các sơ đồ trên phải 
chọn R3>>R2 để mạch bù không ảnh hưởng đến hoạt động bình thường của mạch. 
Thực tế R2 cỡ vài KΩ, R3 cỡ vài trăm KΩ. 
Mạch bù đặc tính tần số . 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
75 
Trong KĐTT các tầng được ghép trực tiếp nên các điện trở cùng với các điện dung ký 
sinh sẽ tạo thành các đốt lọc thông thấp RC. Truyền qua mỗi đốt như vậy thì điện áp 
tín hiệu sẽ bị quay pha đi một lượng nhất định Δϕ. ở một tần số nào đó thì lượng quay 
pha từ đầu vào đến đầu ra của KĐTT có thể là π, nghĩa là vai trò của các cửa sẽ đổi 
chỗ cho nhau, cửa vào đảo thành cửa và không đảo và ngược lại. Như vậy hồi tiếp âm 
ở tần số nà y sẽ trở thành hồi tiếp dương.Nếu thoả mãn cả điều kiện cân bằng biên độ 
và điều kiện cân bằng pha thì KĐTT sẽ bị tự kích. 
 Muốn KĐTT không bị tự kích người ta thường phá vỡ điều kiện cân bằng pha bằng 
cách mắc mạch RC, gọi là mạch bù pha, vào giữa các tầng. Các mạch bù pha thường 
dùng có dạng như ở hình 7.14. Trị số các linh kiện mạch 7.14 và cách mắc chúng vào 
chân các IC KĐTT cho trong các sổ tay của IC tuyến tính. 
Một số mạch tính toán và điều khiển tuyến tính trên KĐTT. KĐTT được sử dụng như 
một mạch đa chức năng. Thay đổi các linh kiện trong mạch hồi tiếp có thể thực hiện 
được nhiều phép tính toán và điều khiển nhờ KĐTT. Xét một số mạch đơn giản. 
5.2.5 Mạch cộng và mạch trừ. 
 a. Mạch cộng đảo 
Mạch hình 7.15 được thực hiện cộng và đảo pha các điện áp đầu vào. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
76 
Vì K0→ ∞ nên điểm N là đất ảo và 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
77 
c. Mạch trừ 
Mạch cho phép chọn điện áp ra có cực tính thay đổi . 
 Xét mạch hình 7.17.Mạch chọn R1=RN 
Theo 7.41 thì khi α = 0,5 , Ur = 0 ; khi α > 0,5 , Ur cùng dấu với UV ; khi α < 0,5 , Ur 
khác dấu với UV . 
Hệ số α: 0 ≤ α ≤ 1 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
78 
5.2.5 Mạch biến đổi trở kháng. 
a. Mạch tạo điện trở âm (NIC) 
Nếu dùng cả hồi tiếp dương và hồi tiếp âm như mạch hình 7.18 sẽ tạo được điện trở 
vào có trị số âm . Thật vậy : 
Theo tính chất của KĐTT thì IN và Ip ≈ 0 ,UN = Up nên từ hình 7.18 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
79 
Theo 7.42 thì nếu UP có cực tính dương thì dòng I2 sẽ là dương và dòng I1 sẽ là âm, 
điện trở đầu vào RV = UP/I1 sẽ là âm. 
Girato : 
Girato tạo ra phần tử điện cảm L từ các phần tử tích cực, thường dùng ngày nay là 
KĐTT. Girato có ký hiệu như hhình 7.19a. Hệ phương trình truyền đạt của gi rato phải 
thoả mãn: 
RM -tham số biến đổi . 
Từ hệ phương trình (7.43) có sơ đồ tương đương của girato như hình 7.19b. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
80 
Girato được xây dựng trên NIC có dạng như ở hình 7.19c.Lập các phương trình cho 
các nút P1, N1, P2 và N2 sẽ có : 
Bây giờ mắc tải Rt cho Girato vào đầu 1 như hình 7.20, tìm trở kháng vào đầu 1 là 
ZV2: 
U1 = I1Rt; 
Nếu mắc tải Rt vào đầu 2-2 thì : 
Như vậy mắc vào 1-1 hoặc 2-2 thì trở kháng vào đầu kia sẽ là 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
81 
Giả sử ta mắc tại tụ C vào thì trở kháng vào đầu kia là : 
Giarato cho một điện cảm tương đương 
Đó là một điện cảm có trị số lớn tạo từ hai KĐTT, 6 điện trở và một tụ điện (Hình 
7.19c).Nếu mắc song song với girato một tụ điện sẽ được một khung cộng hưởng 
song song không có tổn hao, tức là có hệ số phẩm chất rất lớn. 
5.2.6 Mạch vi phân và mạch tích phân. 
a. Mạch tích phân . 
Mạch điện hình 7.21 là một mạch tích phân thông thường vì: 
Chuyển sang tích phân xác định: 
Mạch phân tích tổng: Mạch điện hình 7.22 thực hiện phân tích tổng: 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
82 
Mạch tích phân hiệu: Hình 7.22b. 
Phương trình dòng điện viết cho điểm nút N và nút P là: 
b. Mạch vi phân 
Mạch hình 7.23a là một mạch vi phân thông thường cho: 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
83 
Như vậy hệ số khuếch đại phụ thuộc vào tần số. Vì vậy tạp âm ở tần 
số cao lớn, trở kháng sẽ giảm đi khi tần số tăng. 
Để có mạch vi phân tốt hơn dùng mạch hình 7.23b. Mắc thêm đốt R1C1 thì tác dụng 
vi phân chỉ thực hiện ở tần số lúc này có thể coi CN hở mạch vì ở tần 
số thấp trở kháng của nó nhỏ,điện áp ra là .ở tần số cao thì hồi tiếp 
âm trên CN càng lớn. Nếu chọn R1C1 = RNCN thì khi ω > ω0 hệ số khuếch đại sẽ giảm 
tần số khi tần số tăng (Hình 7.23c) 
5.2.7 Mạch so sánh tương tự. 
Mạch so sánh có nhiệm vụ so sánh một điện áp vào UV với một điện áp chuẩn 
UCh.Trong mạch so sánh, tín hiệu vào tương tự sẽ được biến thành tín hiệu ra dưới 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
84 
dạng mã nhị phân, nghĩa là sẽ có mức ra là thấp (L) hoặc cao(H). Bộ so sánh thực 
hiện trên khuếch đại thuật toán làm việc ở chế độ bão hòa nên các ra thấp và cao 
chính là các mức dương và âm của nguồn. (ở những bộ so sánh chuyên dụng thì hai 
mức này ứng với các mức logic). 
 a. Ðiện thế ngõ ra bão hòa. 
 Ta xem mạch hình 7.24 
Ed là điện thế khác nhau giữa 2 ngõ vào và được định nghĩa : 
Ed = (điện thế ngõ vào dương (+) – điện thế ngõ vào âm (-)). 
Do mạch không có hồi tiếp âm nên: 
VOut=A(V1-V2) = A.Ed ; Với Ed=(V1-V2). 
Trong đó A là độ lợi vòng hở của op-amp. Vì A rất lớn nên theo công thức trên 
VOut rất lớn. 
Khi Ed nhỏ, VOut được xác định. Khi Ed vượt quá một trị số nào đó thì VOut đạt đến trị 
số bão hòa và được gọi là VSat. Trị số của Ed tùy thuộc vào mỗi op-amp và có trị số vào 
khoảng vài chục μV. 
 - Khi Ed âm, mạch đảo pha nên VOut =-VSat 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
85 
 - Khi Ed dương, tức V1>V2 thì VOut =+VSat. 
 Ðiện thế ngõ ra bão hòa thường nhỏ hơn điện thế nguồn từ 1 volt đến 2 volt. Ðể ý là 
|+VSat| có thể khác |-VSat|. 
 Như vậy ta thấy điện thế Ed tối đa là: 
Mạch so sánh mức 0: (tách mức zéro) 
 So sánh mức zéro không đảo 
Điện thế ngõ vào (-) được dùng làm điện thế chuẩn và Ei là điện thế muốn đem 
so sánh với điện thế chuẩn, Ei được đưa vào ngõ vào (+). 
Khi Ei> Vref =0 thì Vout=+Vsat. 
Khi Ei< Vref =0 thì Vout=-Vsat. 
Thí dụ khi Ei có dạng tam giác thì dạng sóng ngõ ra Vout có dạng như hình 7.26. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
86 
b. Mạch so sánh mức zéro đảo: 
Điện thế ngõ vào (+) được dùng làm điện thế chuẩn và Ei là điện thế muốn đem 
so sánh với điện thế chuẩn, Ei được đưa vào ngõ vào (-). 
 Khi Ei> Vref =0 thì Vout=-Vsat. 
Khi Ei< Vref =0 thì Vout=+Vsat. 
Thí dụ khi Ei có dạng tam giác thì dạng sóng ngõ ra Vout có dạng như hình 7.26. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
87 
c. Mạch so sánh với 2 ngõ vào có điện thế bất kỳ: 
So sánh mức dương đảo và không đảo: 
So sánh mức dương không đảo: 
Điện thế chuẩn Vref>0V đặt ở ngõ vào (-). Điện thế so sánh Ei đưa ngõ vào (+). 
Khi Ei>Vref thì VOut=+Vsat. 
Khi Ei<Vref thì VOut=-Vsat. 
So sánh mức dương đảo: 
Điện thế chuẩn Vref>0V đặt ở ngõ vào (+). Điện thế so sánh Ei đưa ngõ vào (-). 
Khi Ei>Vref thì VOut=-Vsat. 
Khi Ei<Vref thì VOut=+Vsat. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
88 
 So sánh mức âm đảo và không đảo: 
 So sánh mức âm không đảo: 
Điện thế chuẩn Vref<0V đặt ở ngõ vào (-). Điện thế so sánh Ei đưa ngõ vào (+). 
Khi Ei>Vref thì VOut=+Vsat. 
Khi Ei<Vref thì VOut=-Vsat. 
So sánh mức âm đảo: 
Điện thế chuẩn Vref<0V đặt ở ngõ vào (+). Điện thế so sánh Ei đưa ngõ vào (-). 
Khi Ei>Vref thì VOut=-Vsat. 
Khi Ei<Vref thì VOut=+Vsat. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
89 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
90 
Bài 6 
THYRISTOR 
6.1 Thyristor - SCR (Đi ốt có điều khiển) 
6.1.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Thyristor 
Cấu tạo Thyristor Ký hiệu của Thyristor Sơ đồ tương tương 
Thyristor có cấu tạo gồm 4 lớp bán dẫn ghép lại tạo thành hai Transistor mắc nối 
tiếp, một Transistor thuận và một Transistor ngược ( như sơ đồ tương đương ở trên ) 
. Thyristor có 3 cực là Anot, Katot và Gate gọi là A-K-G, Thyristor là Diode có điều 
khiển , bình thường khi được phân cực thuận, Thyristor chưa dẫn điện, khi có một điện 
áp kích vào chân G => Thyristor dẫn cho đến khi điện áp đảo chiều hoặc cắt điện áp 
nguồn Thyristor mới ngưng dẫn.. 
 Thí nghiệm sau đây minh hoạ sự hoạt động của Thyristor 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
91 
Thí nghiêm minh hoạ sự hoạt động của Thyristor. 
 Ban đầu công tắc K2 đóng, Thyristor mặc dù được phân cực thuận nhưng vẫn 
không có dòng điện chạy qua, đèn không sáng. 
 Khi công tắc K1 đóng, điện áp U1 cấp vào chân G làm đèn Q2 dẫn => kéo theo 
đèn Q1 dẫn => dòng điện từ nguồn U2 đi qua Thyristor làm đèn sáng. 
 Tiếp theo ta thấy công tắc K1 ngắt nhưng đèn vẫn sáng, vì khi Q1 dẫn, điện áp 
chân B đèn Q2 tăng làm Q2 dẫn, khi Q2 dẫn làm áp chân B đèn Q1 giảm làm 
đèn Q1 dẫn , như vậy hai đèn định thiên cho nhau và duy trì trang thái dẫn điện. 
 Đèn sáng duy trì cho đến khi K2 ngắt => Thyristor không được cấp điện và ngưng 
trang thái hoạt động. 
 Khi Thyristor đã ngưng dẫn, ta đóng K2 nhưng đèn vẫn không sáng như trường 
hợp ban đầu. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
92 
Hình dáng Thyristor 
6.1.2 Ứng dụng của Thyristor 
Thyristor thường được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu nhân đôi tự động của 
nguồn xung Ti vi mầu . 
Thí dụ mạch chỉnh lưu nhân 2 trong nguồn Ti vi mầu JVC 1490 có sơ đồ như 
sau : 
Ứng dụng của Thyristor trong mạch chỉnh lưu 
nhân 2 tự động của nguồn xung Tivi mầu JVC 
6.2 Triac 
Là một cấu kiện thuộc họ Thyristo. Triac có 3 chân cực và có khả năng dẫn điện hai 
chiều khi có tín hiệu kích khởi động (dương hoặc âm). 
6.2.1. Cấu tạo của triac: 
Do tính dẫn điện hai chiều nên hai đầu ra chính của triac dùng để nối với nguồn điện 
được gọi là đầu ra MT1 và MT2 . Giữa hai đầu ra MT1 và MT2 có năm lớp bán dẫn bố 
trí theo thứ tự P-N-P-N như SCR theo cả 2 chiều. Đầu ra thứ ba gọi là cực điều khiển 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
93 
G. Như vậy triac được coi như hai SCR đấu song song ngược chiều với nhau, xem hình 
6-4. 
Cấu tạo triac 
6.2.2. Nguyên lý làm việc: 
Theo quy ước, tất cả các điện áp và dòng điện đều quy ước theo đầu ra chính MT1. Như 
vậy, điện áp nguồn cung cấp cho MT2 phải dương (hoặc âm) hơn so với MT1. Còn tín 
hiệu điều khiển được đưa vào giữa hai chân cực G và chân cực MT1. Ký hiệu và sơ đồ 
nguyên lý đấu triac trong mạch mô tả trong hình 6-5a,b. 
Đặc tuyến Vôn-Ampe của triac được biểu diễn trong hình 6- 6. Đặc tuyến thể hiện khả 
năng dẫn điện hai chiều của triac. 
Phương pháp kích cổng của triac cũng giống như SCR chỉ khác là có thể dùng cả dòng 
dương hay dòng âm cho cả phần tư thứ I và phần tư thứ III của đặc tuyến Vôn- Ampe 
của triac. 
Có hai phương pháp kích khởi động cho triac hoạt động nhạy nhất là: 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
94 
Cực cổng G dương và cực MT2 dương so với MT1 
Cực cổng G âm và cực MT2 âm so với MT1 
Trong mạch điện, một triac cho qua 2 nửa chu kỳ của một điện áp xoay chiều và điều 
khiển bằng một cực điều khiển G. 
Khác với SCR, triac tắt trong một khoảng thời gian rất ngắn lúc dòng điện tải đi qua 
điểm O. Nếu mạch điều khiển của triac có gánh là điện trở thuần thì việc ngắt mạch 
không có gì khó khăn. Nhưng nếu tải là một cuộn cảm thì vấn đề làm tắt triac trở nên 
khó khăn vì dòng lệch pha trễ. Thông thường để tắt Thyristo người ta sử dụng cái ngắt 
điện hoặc mạch đảo lưu dòng điện trong mạch. 
6.3 Diac 
Về cấu tạo, DIAC giống như một SCR không có cực cổng hay đúng hơn là một 
transistor không có cực nền. Hình sau đây mô tả cấu tạo, ký hiệu và mạch tương đương 
của DIAC. 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
95 
Khi áp một hiệu điện thế một chiều theo một chiều nhất định thì khi đến điện thế VBO, 
DIAC dẫn điện và khi áp hiệu thế theo chiều ngược lại thì đến trị số -VBO, DIAC cũng 
dẫn điện, DIAC thể hiện một điện trở âm (điện thế hai đầu DIAC giảm khi dòng điện 
qua DIAC tăng). Từ các tính chất trên, DIAC tương đương với hai Diode Zener mắc 
đối đầu. Thực tế, khi không có DIAC, người ta có thể dùng hai Diode Zener có điện thế 
Zener thích hợp để thay thế. (Hình 17) 
Trong ứng dụng, DIAC thường dùng để mở Triac. Thí dụ như mạch điều chỉnh độ sáng 
của bóng đèn (Hình 18) 
Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 
96 
Ở bán ký dương thì điện thế tăng, tụ nạp điện cho đến điện thế VBO thì DIAC dẫn, tạo 
dòng kích cho Triac dẫn điện. Hết bán kỳ dương, Triac tạm ngưng. Đến bán kỳ âm tụ 
C nạp điện theo chiều ngược lại đến điện thế -VBO, DIAC lại dẫn điện kích Triac dẫn 
điện. Ta thay đổi VR để thay đổi thời hằng nạp điện của tụ C, do đó thay đổi góc dẫn 
của Triac đưa đến làm thay đổi độ sáng của bóng đèn. 
- Khi accu nạp chưa đầy, SCR1 dẫn, SCR2 ngưng 
- Khi accu đã nạp đầy, điện thế cực dương lên cao, kích SCR2 làm SCR2 dẫn, chia bớt 
dòng nạp bảo vệ accu. 
- VR dùng để chỉnh mức bảo vệ (giảm nhỏ dòng nạp)