Bài giảng Cấu kiện điện tử - Chương 3: Điốt bán dẫn - Đỗ Mạnh Hà

Tiếp giáp p-n và điốt bán dẫn

• Các tham số của điốt bán dẫn

• Sơ đồ tương đương của Điốt bán dẫn

• Phân loại và một số ứng dụng của điốt

Tiếp giáp p-n

• Trên một miếng tinh thể bán dẫn, bằng các phương

pháp công nghệ, tạo ra hai vùng bán dẫn loại N và loại

P, thì tại ranh giới giữa hai vùng bán dẫn xuất hiện một

vùng, gọi là lớp tiếp giáp p-n (p-n junction)

pdf 35 trang yennguyen 2600
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Bài giảng Cấu kiện điện tử - Chương 3: Điốt bán dẫn - Đỗ Mạnh Hà", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

Tóm tắt nội dung tài liệu: Bài giảng Cấu kiện điện tử - Chương 3: Điốt bán dẫn - Đỗ Mạnh Hà

Bài giảng Cấu kiện điện tử - Chương 3: Điốt bán dẫn - Đỗ Mạnh Hà
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Chương 3:
Điốt bán dẫn
• Tiếp giáp p-n và điốt bán dẫn
• Các tham số của điốt bán dẫn
• Sơ đồ tương đương của Điốt bán dẫn
• Phân loại và một số ứng dụng của điốt
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Tiếp giáp p-n
• Trên một miếng tinh thể bán dẫn, bằng các phương
pháp công nghệ, tạo ra hai vùng bán dẫn loại N và loại
P, thì tại ranh giới giữa hai vùng bán dẫn xuất hiện một
vùng, gọi là lớp tiếp giáp p-n (p-n junction)
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Điốt bán dẫn
• Linh kiện chỉ có một lớp tiếp giáp p-n gọi là điôt
(diode) bán dẫn.
Hình dạng, ký 
hiệu, cấu tạo:
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Sự hình thành tiếp giáp p-n
• Vùng bán dẫn loại N có hạt dẫn đa số là electron tự do
(NA=10
16cm-3); vùng bán dẫn loại P hạt dẫn đa số là lỗ
trống (ND=1017cm-3).
• Do sự chênh lệch nồng độ electron và lỗ trống giữa hai
vùng bán dẫn nên các electron ở gần tiếp giáp p-n
khuếch tán từ vùng N sang vùng P và lỗ trống khuếch
tán từ vùng P sang N. Kết quả là ở tiếp giáp p-n chỉ còn
các ion tạp chất: ion dương ở phía tạp chất n, ion âm ở
phía tạp chất p. Vùng giữa các ion này rất nghèo hạt dẫn
điện (electron, lỗ trống), nên được gọi là vùng nghèo
(depletion region) hay vùng điện tích không gian
• Các ion này tạo thành một điện trường hướng từ n sang
p gọi là điện trường tiếp xúc. Điện thế tạo bởi điện
trường này gọi là hàng rào thế năng (barrier potential)
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Sự hình thành tiếp giáp p-n
pn junction: tiếp giáp p-n
depletion region: Vùng nghèo
barrier potential: Hàng rào thế năng
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Tiếp giáp p-n ở trạng thái cân bằng
• Điện trường tiếp xúc ngăn cản sự khuếch tán
của các hạt dẫn đa số (electron ở bán dẫn loại
n; lỗ trống ở bán dẫn loại p)→giảm dòng khuếch
tán, và tăng cường chuyển động trôi của các hạt
dẫn thiểu số→tăng dòng trôi. Khi dòng điện sinh
ra bởi các hạt dẫn này bằng nhau (nhưng
ngược chiều), thì tiếp giáp ở trạng thái cân bằng
động.
• Ở trạng thái cân bằng động, tiếp giáp p-n có bề
dày xác định (10-6m), điện trường tiếp xúc và
hàng rào thế năng cũng có các giá trị xác định.
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Mô hình vùng năng lượng của tiếp 
giáp p-n ở trạng thái cân bằng
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Các tham số của tiếp giáp p-n ở trạng 
thái cân bằng
Hiệu điện thế tiếp xúc
 ln
20
i
AD
T
n
NN
VV 
Điện trường tiếp xúc
 ln
20
i
AD
n
NN
KTE 
 22
2
nDpA
xn
xp
xNxN
q
EdxV 

xp: Độ rộng vùng nghèo về phía p
xn: Độ rộng vùng nghèo về phía n
ε=11,8ε0=11,8.8,85.10
-14(F/cm): 
Hằng số điện môi của chất bán dẫn
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Tiếp giáp p-n phân cực thuận
• Tiếp giáp p-n được phân cực thuận khi đặt một điện áp
một chiều có cực dương nối vào bán dẫn p và cực âm
nối vào bán dẫn n
• Điện áp phân cực (Vbias) phải lớn hơn hàng rào thế
năng.
• Điện trường ngoài ngược hướng với điện trường tiếp
xúc, nên làm giảm điện trường tiếp xúc. Etx=E0-Eng
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Tiếp giáp p-n phân cực thuận
• Điện trường ngoài hướng từ p sang n, làm các electron ở
bán dẫn n tiến tới tiếp giáp p-n, đây là hiện tượng “phun”
hạt dẫn vào vùng nghèo, làm điện trở vùng nghèo giảm
xuống nhanh chóng
• Điện trường ngoài làm tăng dòng khuếch tán và giảm dòng
trôi
• Điện trường ngoài làm giảm độ rộng vùng nghèo, làm giảm
điện trường tiếp xúc và làm giảm hàng rào thế năng
• Khi tiếp giáp p-n được phân cực thuận, có dòng điện từ bán
dẫn p sang bán dẫn n, gọi là dòng phân cực thuận.
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Tiếp giáp p-n phân cực ngược
• Tiếp giáp p-n được phân cực ngược khi đặt một điện áp
một chiều có cực dương vào bán dẫn n và cực âm vào
bán dẫn p
• Điện trường ngoài cùng hướng với điện trường tiếp xúc,
nên làm tăng cường điện trường tiếp xúc. Etx=E0+Eng
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Tiếp giáp p-n phân cực ngược
• Điện trường ngoài hướng từ n sang p làm cho các hạt
dẫn điện đa số (electron ở bán dẫn n, lỗ trống ở bán dẫn
p) càng rời xa tiếp giáp p-n, làm cho độ rộng của vùng
nghèo tăng lên, điện trở của vùng nghèo cũng tăng lên
nhanh chóng
• Điện trường ngoài làm giảm dòng khuếch tán và tăng
dòng trôi (dòng trôi rất nhỏ so với dòng khuếch tán)
• Khi tiếp giáp p-n được phân cực ngược, chỉ có dòng điện
ngược (rất nhỏ) qua tiếp giáp p-n.
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Dòng điện ngược và hiện tượng 
đánh thủng tiếp giáp p-n
• Dòng điện ngược là dòng dịch chuyển có hướng của hạt
mang điện thiểu số (electron trong bán dẫn p, lỗ trống
trong bán dẫn n) dưới tác dụng của điện trường ngoài
• Dòng điện ngược rất nhỏ (cỡ vài μA) và nhanh chóng bão
hào khi tăng điện áp phân cực ngược
• Nếu tiếp tục tăng điện áp phân cực ngược đến một mức
nào đó tiếp giáp p-n bị đánh thủng, dòng ngược tăng đột
biến.
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Dòng điện qua tiếp giáp p-n phân 
cực thuận
• Dòng điện qua tiếp giáp p-n phân cực thuận là
dòng chuyển dời có hướng của các hạt dẫn điện
đa số: I=IP+IN
Dòng khuếch tán lỗ trống
 1exp
TP
Np
p
V
V
L
pqSD
I
Dòng khuếch tán điện tử
 1exp
TN
pn
N
V
V
L
nqSD
I
S: tiết diện tiếp giáp p-n
Dp;Dn: hệ số khuếch tán của lỗ 
trống, electron
pN: nồng độ lỗ trống khuếch tán 
từ p sang n
nP: nồng độ electron khuếch tán 
từ n sang p
LP: độ dài khuếch tán của lỗ
trống
LN: độ dài khuếch tán của 
electron
V: điện áp phân cực thuận
VT: thế nhiệt
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Dòng điện qua tiếp giáp p-n phân 
cực thuận
 1exp
TN
pn
P
Np
NP
V
V
L
nqSD
L
pqSD
III
 1exp0
TV
V
II
n
Pn
p
Np
L
nSqD
L
pSqD
I 0
Với:
Dòng điện ngược bão hòa
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Dòng điện qua tiếp giáp p-n phân 
cực ngược
• Dòng điện ngược bão hòa là dòng chuyển dời có
hướng của các hạt mang điện thiểu số:
Ing=Ingp+Ingn
2.. i
An
n
Dp
p
ng n
NL
D
NL
D
qSI
n
Pn
p
Np
ng
L
nSqD
L
pSqD
I 
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Đặc tuyến V-A của Điốt bán dẫn
Xây dựng bằng phương pháp thực nghiệm:
- Mắc các đồng hồ đo dòng điện và điện áp như hình vẽ
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Đặc tuyến V-A của Điốt bán dẫn
 1exp0
TV
V
II
Đặc tuyến V-A
là quan hệ giữa 
dòng điện qua 
Điốt và điện áp 
đặt vào các cực 
của Điốt
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Đặc tuyến V-A của Điốt bán dẫn
• Đặc tuyến V-A của Điốt bán dẫn chia thành ba
phần rõ rệt.
– Vùng phân cực thuận: Khi 0<UAK<Uth (0,7V), dòng
thuận gần như không có. Khi UAK≥Uth, dòng thuận
tăng nhanh
– Vùng phân cực ngược: Khi UAK<0, dòng ngược bão
hòa rất nhỏ (cỡ vài chục nA đến vài μA)
– Vùng đánh thủng: Dòng điện ngược tăng đột biến khi
điện áp phân cực ngược đạt đến điện áp đánh thủng
• Từ đặc tuyến V-A ta thấy Điốt là linh kiện chỉ
dẫn điện theo một chiều khi nó được phân cực
thuận. Người ta còn nói Điốt có tính chất Van
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Sự phụ thuộc của đặc tuyến V-A vào 
nhiệt độ
 1exp0
TV
V
II
Từ công thức trên cho thấy
dòng điện qua điốt phụ
thuộc vào nhiệt độ thông
qua VT và phụ thuộc vào
dòng bão hòa ngược I0
Dòng bão hòa ngược phụ
thuộc mạnh vào nhiệt độ
với mức xấp xỉ tăng gấp đôi
khi nhiệt độ tăng 10oC; hay
-2,1mV/oC (Si); -2,3mV/oC
(Ge)
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Các tham số của Điốt bán dẫn
Điện trở tĩnh: Là điện trở của tiếp giáp p-n khi có điện 
áp một chiều cố định đặt vào các cực của Điốt.
dI
dU
I
U
r AKAKi 
I
U
R AK 0 R0th<<R0ng
Điện trở động: Là điện trở của của tiếp giáp p-n khi làm 
việc với điện áp biến đổi. Hay nói cách khác là điện trở tức 
thời của tiếp giáp
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Các tham số của Điốt bán dẫn
Điện dung của Điốt: Là điện dung của lớp điện tích 
không gian ở trạng thái cân bằng hoặc khi phân cực ngược.
Điện áp ngược cực đại Ungmax: Là điện áp ngược tối 
đa mà Điốt còn làm việc bình thường, thường Ungmax=0,8Udt
Dòng thuận cực đại Imax: Là dòng điện thuận tối đa mà 
Điốt còn hoạt động bình thường
Khoảng nhiệt độ làm việc: Là khoảng nhiệt độ mà 
Điốt còn làm việc bình thường. Đối với Điốt Si là từ -60 đến 
150oC; Điốt Ge là -60 đến 85oC
Các tham số của Điốt thường được cho 
ở Datasheet của hãng sản xuất
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Các sơ đồ tương đương của Điốt 
bán dẫn
• Mô hình Điốt lý tưởng (Ideal model): Điốt tương
đương với một công tắc:
– Công tắc đóng khi Điốt phân cực thuận
– Công tắc hở khi phân cực ngược
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Các sơ đồ tương đương của Điốt 
bán dẫn
• Mô hình Điốt thực tế (Practical model): Giống như mô
hình lý tưởng nhưng tính đến ảnh hưởng của hàng rào
thế năng (0,7V đối với Si và 0,2V đối với Ge)
– Khi phân cực thuận Điốt tương đương với một nguồn áp (bằng
hàng rào thế năng) và công tắc đóng
– Khi phân cực ngược Điốt tương đương với công tắc hở
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Các sơ đồ tương đương của Điốt 
bán dẫn
• Mô hình Điốt hoàn chỉnh (Complete model): Là mô hình
kể đến ảnh hưởng của hàng rào thế năng VF, điện trở
thuận r’d (rất nhỏ) và điện trở ngược r’R (rất lớn)
– Khi phân cực thuận Điốt tương đương với một nguồn áp (bằng
hàng rào thế năng), một công tắc đóng và điện trở thuận r’d
– Khi phân cực ngược Điốt tương đương với công tắc hở và điện
trở ngược
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Các sơ đồ tương đương của Điốt 
bán dẫn
• Mô hình Điốt hoạt động ở tần số cao:
– Khi điốt hoạt động ở tần số cao, thì phải tính đến ảnh
hưởng của các tụ ký sinh (tụ khuếch tán Cd và tụ tiếp
giáp p-n Cj)
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Phân loại và ứng dụng của điốt
• Điốt chỉnh lưu (rectifier diode): Dựa trên tính
chất dẫn điện theo một chiều của điốt để chỉnh
lưu dòng điện xoay chiều thành một chiều
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Ứng dụng của điốt
• Các mạch ghim (hạn chế điện áp)
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Phân loại và ứng dụng của điốt
• Điốt Zener : Dựa trên hiện tượng đánh thủng về điện
của điốt. Dùng để ổn định điện áp
• Khi được phân cực thuận, điốt Zener cũng giống như
điốt bình thường, khi phân cực ngược thì nó chỉ làm việc
ở trạng thái đánh thủng.
• Điốt Zener được chế tạo từ hai lớp bán dẫn được pha
tạp rất mạnh (nên điện áp đánh thủng thường nhỏ hơn
điốt thông thường)
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Sơ đồ tương đương của điốt Zener
ZZ: Trở kháng 
(Impedance) của điốt 
Zener
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Ứng dụng của điốt Zener
Ổn định điện 
áp một chiều:
Khi tải thay đổi: 
Uod=Uz
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Ứng dụng của điốt Zener
Ổn định điện 
áp một chiều:
Khi điện áp 
nguồn vào thay 
đổi: Uod=Uz
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Phân loại và ứng dụng của điốt
• Điốt xung : Điốt làm việc với các xung điện áp (dòng
điên), tương tự như một khóa điện tử, đóng mở mạch
• Điốt Schottky: Là điốt có thời gian phục hồi trạng thái
đóng, ngắt nhanh, điốt schottky sử dụng tiếp xúc bán
dẫn-kim loại
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Phân loại và ứng dụng của điốt
• Điốt biến dung (Varicap): Là điốt làm việc như một
tụ điện, với điện dung của phần tiếp giáp p-n thay đổi
theo điện áp phân cực cho điốt
N
H
A
T
R
A
N
G
 U
N
IV
E
R
S
IT
Y
Phân loại và ứng dụng của điốt
• Điốt cao tần (Điốt tách sóng): Nguyên lý làm việc
giống như điốt chỉnh lưu, nhưng tần số làm việc rất cao,
thường dùng trong mạch tách sóng của máy thu thanh
• Điốt xuyên hầm (tunnel): Điốt làm việc dựa
trên hiệu ứng xuyên hầm. Có khả năng dẫn điện
theo cả chiều thuận và chiều ngược

File đính kèm:

  • pdfbai_giang_cau_kien_dien_tu_chuong_3_diot_ban_dan_do_manh_ha.pdf