Bài giảng Cấu kiện điện tử & Quang điện tử - Trần Thục Linh
Nội dung môn học
Chương 1- Giới thiệu chung
Chương 2- Cấu kiện thụ động
Chương 3- Vật lý bán dẫn
Chương 4- Diode (Điốt)
Chương 5- BJT (Transistor lưỡng cực)
Chương 6- FET (Transistor hiệu ứng trường)
Chương 7- Thyristors: SCR – Triac – Diac - UJT
Chương 8- Cấu kiện quang điện t
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Bài giảng Cấu kiện điện tử & Quang điện tử - Trần Thục Linh", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
Tóm tắt nội dung tài liệu: Bài giảng Cấu kiện điện tử & Quang điện tử - Trần Thục Linh
HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ Giảng viên: ThS. Trần Thục Linh Điện thoại/E-mail: 0914932955/thuclinh_dt@yahoo.com Bộ môn: Kỹ thuật điện tử - Khoa Kỹ thuật điện tử 1 Học kỳ/Năm biên soạn: 2/2009 BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 2 Nội dung môn học Chương 1- Giới thiệu chung Chương 2- Cấu kiện thụ động Chương 3- Vật lý bán dẫn Chương 4- Diode (Điốt) Chương 5- BJT (Transistor lưỡng cực) Chương 6- FET (Transistor hiệu ứng trường) Chương 7- Thyristors: SCR – Triac – Diac - UJT Chương 8- Cấu kiện quang điện tử BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 3 Tài liệu học tập Tài liệu chính: Slide bài giảng Bài giảng Cấu kiện điện tử và quang điện tử, Đỗ Mạnh Hà, Học viện CNBCVT, 2009-2010 Tài liệu tham khảo: Electronic Devices and Circuit Theory, Ninth edition, Robert Boylestad, Louis Nashelsky, Prentice - Hall International, Inc, 2006. Linh kiện bán dẫn và vi mạch, Hồ văn Sung, NXB GD, 2005 Giáo trình Cấu kiện điện tử và quang điện tử, Trần Thị Cầm, Học viện CNBCVT, 2002 BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 4 Yêu cầu môn học Sinh viên phải đọc trước các slide bài giảng trước khi lên lớp Tích cực trả lời và đặt câu hỏi trên lớp hoặc qua email của GV Làm bài tập thường xuyên, nộp vở bài tập bất cứ khi nào Giảng viên yêu cầu Tự thực hành theo yêu cầu với các phần mềm EDA Điểm môn học: Chuyên cần : 10 % Kiểm tra giữa kỳ: 10 % Thí nghiệm : 10 % Thi kết thúc : 70 % Kiểm tra : - Câu hỏi ngắn - Bài tập Thi kết thúc: - Lý thuyết: + Trắc nghiệm + Câu hỏi ngắn - Bài tập BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 5 Chương 1- Giới thiệu chung 1. Giới thiệu chung về cấu kiện điện tử 2. Phân loại cấu kiện điện tử 3. Giới thiệu về vật liệu điện tử 4. Giới thiệu các phần mềm EDA hỗ trợ môn học BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 6 1. Giới thiệu chung về Cấu kiện điện tử Cấu kiện điện tử là các phần tử linh kiên rời rạc, mạch tích hợp (IC) tạo nên mạch điện tử, hệ thống điện tử Cấu kiện ĐT ứng dụng trong nhiều lĩnh vực. Nổi bật nhất là ứng dụng trong lĩnh vực điện tử - viễn thông, CNTT Cấu kiện ĐT rất phong phú, nhiều chủng loại đa dạng Công nghệ chế tạo linh kiện điện tử phát triển mạnh mẽ, tạo ra những vi mạch có mật độ rất lớn (Vi xử lý Pentium 4: > 40 triệu Transistor,) Xu thế các cấu kiện điện tử có mật độ tích hợp ngày càng cao, tính năng mạnh, tốc độ lớn BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 7 Vi mạch và ứng dụng Processors CPU, DSP, Controllers Memory chips RAM, ROM, EEPROM Analog Thông tin di động, xử lý audio/video Programmable PLA, FPGA Embedded systems Thiết bị ô tô, nhà máy Network cards System-on-chip (SoC) Ảnh: amazon.com BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 8 Ứng dụng của linh kiện điện tử Sand Chips on Silicon wafers Chips BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 9 Lịch sử phát triển công nghệ (1) Các cấu kiện bán dẫn như diodes, transistors và mạch tích hợp (ICs) có thể tìm thấy khắp nơi trong cuộc sống (Walkman, TV, ôtô, máy giặt, máy điều hoà, máy tính,). Những thiết bị này có chất lượng ngày càng cao với giá thành rẻ hơn PCs minh hoạ rất rõ xu hướng này Nhân tố chính đem lại sự phát triển thành công của nền công nghiệp máy tính là việc thông qua các kỹ thuật và kỹ năng công nghiệp tiên tiến người ta chế tạo được các transistor với kích thước ngày càng nhỏ → giảm giá thành và công suất Bài học khám phá các đặc tính bên trong của thiết bị bán dẫn → SV hiểu được mối quan hệ giữa cấu tạo hình học và các tham số của vật liệu; hiểu được các đặc tính về điện của chúng BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 10 1883 Thomas Alva Edison (“Edison Effect”) 1904 John Ambrose Fleming (“Fleming Diode”) 1906 Lee de Forest (“Triode”) Vacuum tube devices continued to evolve 1940 Russel Ohl (PN junction) 1947 Bardeen and Brattain (Transistor) 1952 Geoffrey W. A. Dummer (IC concept) 1954 First commercial silicon transistor 1955 First field effect transistor - FET Audion (Triode) 1906, Lee De Forest First point contact transistor (germanium) 1947, John Bardeen and Walter Brattain Bell Laboratories Lịch sử phát triển công nghệ (2) BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 11 1958 Jack Kilby (Integrated circuit) 1959 Planar technology invented 1960 First MOSFET fabricated At Bell Labs by Kahng 1961 First commercial ICs Fairchild and Texas Instruments 1962 TTL invented 1963 First PMOS IC produced by RCA 1963 CMOS invented Frank Wanlass at Fairchild Semiconductor U. S. patent # 3,356,858 Lịch sử phát triển công nghệ (3) 1958 First integrated circuit (germanium), 1958 Jack S. Kilby, Texas Instruments Contained five components, three types: Transistors, resistors and capacitors BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 12 Đặc điểm phát triển của mạch tích hợp (IC) Tỷ lệ giá thành/tính năng của IC giảm 25% –30% mỗi năm. Số chức năng, tốc độ, hiệu suất cho mỗi IC tăng: Kích thước wafer hợp tăng Mật độ tích hợp tăng nhanh BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 13 Định luật MOORE BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 14 2. Phân loại cấu kiện điện tử 2.1 Phân loại dựa trên đặc tính vật lý 2.2 Phân loại dựa trên chức năng xử lý tín hiệu 2.3 Phân loại theo ứng dụng BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 15 2.1 Phân loại dựa trên đặc tính vật lý Linh kiện hoạt động trên nguyên lý điện từ và hiệu ứng bề mặt: điện trở bán dẫn, DIOT, BJT, JFET, MOSFET, điện dung MOS IC từ mật độ thấp đến mật độ siêu cỡ lớn UVLSI Linh kiện hoạt động trên nguyên lý quang điện: quang trở, Photođiot, PIN, APD, CCD, họ linh kiện phát quang LED, LASER, họ linh kiện chuyển hoá năng lượng quang điện như pin mặt trời, họ linh kiện hiển thị, IC quang điện tử Linh kiện hoạt động dựa trên nguyên lý cảm biến: họ sensor nhiệt, điện, từ, hoá học; họ sensor cơ, áp suất, quang bức xạ, sinh học và các chủng loại IC thông minh dựa trên cơ sở tổ hợp công nghệ IC truyền thống và công nghệ chế tạo sensor Linh kiện hoạt động dựa trên hiệu ứng lượng tử và hiệu ứng mới: các linh kiện được chế tạo bằng công nghệ nano có cấu trúc siêu nhỏ: Bộ nhớ một điện tử, Transistor một điện tử, giếng và dây lượng tử, linh kiện xuyên hầm một điện tử, BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 16 2.2 Phân loại dựa trên chức năng xử lý tín hiệu BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 17 2.3 Phân loại theo ứng dụng Linh kiện thụ động: R,L,C Linh kiện tích cực: DIOT, BJT, JFET, MOSFET Vi mạch tích hợp IC: IC tương tự, IC số, Vi xử lý Linh kiện chỉnh lưu có điều khiển Linh kiện quang điện tử: Linh kiện thu quang, phát quang BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 18 3. Giới thiệu về vật liệu điện tử 3.1. Chất cách điện 3.2. Chất dẫn điện 3.3. Vật liệu từ 3.4. Chất bán dẫn (Chương 3) BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 19 Cơ sở vật lý của vật liệu điện tử Lý thuyết vật lý chất rắn Lý thuyết vật lý cơ học lượng tử Lý thuyết dải năng lượng của chất rắn Lý thuyết vật lý bán dẫn BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 20 Lý thuyết vật lý chất rắn Vật liệu để chế tạo phần lớn các linh kiện điện từ là loại vật liệu tinh thể rắn Cấu trúc đơn tinh thể: trong tinh thể rắn nguyên tử được sắp xếp theo một trật tự nhất định, chỉ cần biết vị trí và một vài đặc tính của một số ít nguyên tử ta có thể đoán vị trí và bản chất hóa học của tất cả các nguyên tử trong mẫu Ở một số vật liệu người ta nhận thấy rằng các sắp xếp chính xác của các nguyên tử chỉ tồn tại chính xác tại cỡ vài nghìn nguyên tử. Những miền có trật tự như vậy được ngăn cách bởi bờ biên và dọc theo bờ biên này không có trật tự - cấu trúc đa tinh thể Tính chất tuần hoàn của tinh thể có ảnh hưởng quyết định đến các tính chất điện của vật liệu BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 21 Lý thuyết vật lý cơ học lượng tử Trong cấu trúc nguyên tử, điện tử chỉ có thể nằm trên các mức năng lượng gián đoạn nhất định nào đó - các mức năng lượng nguyên tử Nguyên lý Pauli: mỗi điện tử phải nằm trên một mức năng lượng khác nhau Một mức năng lượng được đặc trưng bởi một bộ 4 số lượng tử: n – số lượng tử chính: 1, 2, 3, 4. l – số lượng tử quỹ đạo: 0, 1, 2, (n-1) {s, p, d, f, g, h} ml– số lượng tử từ: 0, ±1, ±2, ±3, ±l ms– số lượng tử spin: ±1/2 n, l tăng thì mức năng lượng của nguyên tử tăng, e- được sắp xếp ở lớp, phân lớp có năng lượng nhỏ trước BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 22 Sự hình thành vùng năng lượng (1) Để tạo thành vật liệu giả sử có N nguyên tử giống nhau ở xa vô tận tiến lại gần liên kết với nhau: Nếu các NT cách xa nhau đến mức có thể coi chúng là hoàn toàn độc lập với nhau thì vị trí của các mức năng lượng của chúng là hoàn toàn trùng nhau (một mức trùng chập) Khi các NT tiến lại gần nhau đến khoảng cách cỡ Ao thì chúng bắt đầu tương tác với nhau→ không thể coi chúng là độc lập nữa. Kết quả là các mức năng lượng nguyên tử không còn trùng chập nữa mà tách ra thành các mức năng lượng rời rạc khác nhau. VD: mức 1s sẽ tạo thành 2N mức năng lượng khác nhau Nếu số lượng các NT rất lớn và gần nhau thì các mức năng lượng rời rạc đó rất gần nhau và tạo thành một vùng năng lượng gần như liên tục Sự tách một mức năng lượng NT ra thành vùng năng lượng rộng hay hẹp phụ thuộc vào sự tương tác giữa các điện tử thuộc các NT khác nhau với nhau BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 23 Sự hình thành vùng năng lượng (2) C 6 1s22s22p2 Si 14 1s22s22p63s23p2 Ge 32 1s22s22p63s23p63d104s24p2 Sn 50 1s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p2 (Si) BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 24 Các vùng năng lượng cho phép xen kẽ nhau, giữa chúng là vùng cấm Các điện tử trong chất rắn sẽ điền đầy vào các mức năng lượng trong các vùng cho phép từ thấp đến cao Xét trên lớp ngoài cùng: Vùng năng lượng đã được điền đầy các điện tử hóa trị - “Vùng hóa trị” Vùng năng lượng trống hoặc chưa điền đầy trên vùng hóa trị - “Vùng dẫn” Vùng không cho phép giữa Vùng hóa trị và Vùng dẫn - “Vùng cấm” Tùy theo sự phân bố của các vùng mà tinh thể rắn có tính chất điện khác nhau: Chất cách điện, Chất dẫn điện, Chất bán dẫn Sự hình thành vùng năng lượng (3) BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 25 Cấu trúc vùng năng lượng của vật chất EG > 2 eV E EC EV EG < 2 eV E EC EV EG = 0 E EC EV Vùng hoá trị Vùng dẫn Điện tử Lỗ trống Vùng dẫn Vùng hoá trị a- Chất cách điện; b - Chất bán dẫn; c- Chất dẫn điện Độ dẫn điện của của vật chất cũng tăng theo nhiệt độ Chất bán dẫn: sự mất 1 điện tử trong vùng hóa trị sẽ hình thành một lỗ trống Cấu trúc vùng năng lượng của kim loại không có vùng cấm, dưới tác dụng của điện trường ngoài các e- tự do có thể nhận năng lượng và di chuyển lên các trạng thái cao hơn, sự di chuyển này tạo nên dòng điện BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 26 Các loại vật liệu điện tử Chất cách điện (chất điện môi) Chất dẫn điện Vật liệu từ Chất bán dẫn (Chương 3) BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 27 3.1 CHẤT CÁCH ĐIỆN (CHẤT ĐIỆN MÔI) a. Định nghĩa Là chất dẫn điện kém, là các vật chất có điện trở suất cao (107 ÷ 1017Ω.m) ở nhiệt độ bình thường. Chất cách điện gồm phần lớn các vật liệu vô cơ cũng như hữu cơ Tính chất ảnh hưởng rất lớn đến chất lượng của linh kiện b. Các tính chất của chất điện môi b.1 Độ thẩm thấu điện tương đối (hằng số điện môi - ε) b.2 Độ tổn hao điện môi (Pa) b.3 Độ bền về điện của chất điện môi (Eđ.t) b.4 Nhiệt độ chịu đựng b.5 Dòng điện trong chất điện môi (I) b.6 Điện trở cách điện của chất điện môi BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 28 b.1 Hằng số điện môi Cd : điện dung của tụ điện sử dụng chất điện môi C0 : điện dung của tụ điện sử dụng chất điện môi là chân không hoặc không khí ε biểu thị khả năng phân cực của chất điện môi. Chất điện môi dùng làm tụ điện cần có hằng số điện môi (ε) lớn, còn chất điện môi dùng làm chất dẫn điện có ε nhỏ d 0 C C (kh«ng thø nguyªn)ε= BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 29 b.2 Độ tổn hao điện môi (Pa) là công suất điện tổn hao để làm nóng chất điện môi khi đặt nó trong điện trường, được xác định thông qua dòng điện rò. Trong đó: U là ... KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 22 Laser bán dẫn (2) - Giảm dòng điện ngưỡng - Tăng công suất tổng của ánh sáng ở đầu ra - Tăng hiệu suất quantum mở rộng Dòng điện (mA) 7 0 0 40 L i g h t o u t p u t ( m W ) Ith Bức xạ kích thích Lasing emission T →Slope gives external efficiency η cải thiện chất lượng của thiết bị laser Hình 8-11 BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 23 Cấu trúc của laser Các loại laser: ¾Laser đa mode: Fabry-Perot Laser ¾Laser đơn mode: dùng trong các hệ thống thông tin tiên tiến - DFB Laser (Distributed Feedback) - DBR Laser (Distributed Bragg Reflector) - MQW Laser (Multi Quantum Well) ¾Laser có thể điều chỉnh được: điều chỉnh bước sóng phát ra bằng cách (i) thay đổi chiều dài hố (kéo dãn cơ học), (ii) thay đổi hệ số khúc xạ (điều khiển nhiệt độ) Hình 8-12 Laser với cấu trúc dị thể kép a) Index-Guided b) Gain-Guided Kết nối điện BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 24 Các cấu kiện chuyển đổi Quang – Điện ¾ Các bộ thu quang điện hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng chuyển đổi quang điện. Ở đó sự hấp thụ photon bởi vật liệu bán dẫn đã tạo ra các cặp điện tử - lỗ trống → tạo ra tín hiệu quang điện dưới dạng dòng điện hay điện thế có thể đo được ¾ Thiết bị quan trọng nhất là điốt quang bán dẫn (photodiode) ¾ Yêu cầu: - Độ nhạy cao - Nhiễu trong nhỏ - Băng thông rộng BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 25 Quang trở (LDR-Light Dependent Resistor) (1) Cấu tạo & nguyên lý: ¾Là bộ thu tín hiệu quang đơn giản nhất. Quang trở thường được làm bằng chất Sunfit Cadimium (CdS), Selenid Cadimium (CdSe), Sunfit chì (PbS) trong đó loại quang trở CdS có độ nhạy phổ gần với mắt người nên thông dụng nhất ¾Quang trở được chế tạo bằng cách tạo một màn bán dẫn trên nền cách điện nối ra 2 đầu kim loại rồi đặt trong một vỏ nhựa, mặt trên có lớp thuỷ tinh trong suốt để nhận ánh sáng bên ngoài tác động vào Bán dẫn Đế cách điện Bản điện cực Dây dẫn nối từ điện cực ra ngoài hυ Hình 8-13 BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 26 Quang trở (2) ¾ Khi ánh sáng chiếu vào bề mặt quang trở, các cặp e-lỗ trống được sinh ra và được điện trường cuốn ra phía các điện cực. Phụ thuộc vào thông lượng ánh sáng chiếu vào, dòng điện bên ngoài cũng thay đổi theo. ¾Trị số điện trở của quang trở thay đổi theo độ sáng chiếu vào nó. Khi bị che tối thì quang trở có trị số điện trở rất lớn (vài MΩ), khi được chiếu sáng thì điện trở giảm nhỏ (vài chục Ω÷ vài trăm Ω). ¾ Ưu điểm của quang trở: có khuếch đại trong, nghĩa là dòng quang điện thu được có số điện tử (hay lỗ trống) lớn hơn số điện tử (hay lỗ trống) do photon tạo ra ¾Ứng dụng: dùng trong các mạch thu tín hiệu quang, trong báo động, đóng ngắt các mạch điện, trong đo đạc, điều khiển và tự động hoá RCdS Lux Hình 8.15. Đặc tính của quang trở Hình 8.14. Ký hiệu, hình dạng của quang trở BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 27 Nguyên lý của điốt quang Cung cấp một điện áp phân cực ngược phù hợp cho một tiếp giáp P-N đơn giản → tạo ra một điện trường → tách các cặp e--lỗ trống do ánh sáng tạo ra (do sự hấp thu ánh sáng trong chất bán dẫn) Tốc độ đáp ứng được xác định bởi điện dung của thiết bị → bị chi phối bởi độ dày của vùng chuyển tiếp → thiết bị diện tích nhỏ và các vùng tích cực có pha tạp thấp sẽ có điện dung nhỏ, nghĩa là tốc độ cao Nhiễu: nhiễu thấp nếu giảm nhỏ dòng điện rò (chủ yếu là dòng rò bề mặt) bằng cách dùng các vật liệu có vùng cấm rộng ở bề mặt +V-V p nhν E l e c t r i c f i e l d Distance (x) Hình 8-16 BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 28 PIN Diode (Photodiode có lớp bán dẫn thuần) ¾ Điốt PIN bao gồm lớp P, lớp I và lớp N. Lớp I là lớp bán dẫn thuần có điện trở rất cao để khi Điốt PIN được phân cực ngược, lớp nghèo có thể lan ra rất rộng trong lớp I để hướng phần lớn các photon rơi và hấp thụ trong đó ¾ Trong lớp I có điện trường cuốn rất cao để cuốn hạt tải nhanh chóng về 2 cực tạo nên dòng quang điện ở mạch ngoài (a) Mô hình bộ thu quang PIN. (b) Đáp ứng / bước sóng đối với bộ thu quang InGaAs/InP Hình 8-17 BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 29 Đặc tuyến của PIN PIN Diode (2) ¾ Hấp thụ các photon → cặp e-lỗ trống → dòng điện: qR hc η λ= R = Đáp ứng ( ) ( ) ( ) η = hiệu suất lượng tử < 1(vd: 0,95%), q = điện tích e-; h = hằng số Planck (6,63.10-34 J/Hz) Cấu trúc PIN có thời gian đáp ứng rất nhanh và hiệu suất lượng tử cao. Nhược điểm: dòng tối và nhiễu tương đối lớn, đặc biệt là đối với các bán dẫn có vùng cấm nhỏ như Ge Hình 8-18 2 .i t R p t R E t= ≈ BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 30 APD Hình 8.19 Mô hình APD với vùng nhân và vùng hấp thụ tách biệt • Điện áp phân cực ngược cao (>100V) → Photon tạo ra các cặp e-lỗ trống→ các cặp e/lỗ trống tăng thêm do hiệu ứng thác lũ M = độ khuếch đại thác lũ (vd: 100) Độ khuếch đại cao, nhưng băng thông thường thấp hơn, nhiều nhiễu trong hơn so với điốt PIN • Miền tăng tốc (miền hấp thụ ánh sáng) & miền nhân hạt tải là tách biệt nhau • Khi có ánh sáng chiếu vào, các hạt tải đi qua miền hấp thụ sẽ được tăng tốc, chúng va đập mạnh vào các nguyên tử của bán dẫn gây nên sự ion hoá và tạo ra các cặp e - lỗ trống mới. Quá trình được lặp đi lặp lại nhiều lần → hiệu ứng thác lũ → tăng dòng quang điện bên ngoài, tăng độ khuếch đại (tăng độ nhạy của APD) , . ,APD APD qR l R M R hc λ = ≈ BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 31 Các đặc điểm của điốt quang BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 32 Transistor quang (1) Cấu tạo và nguyên lý: ¾Transistor quang có cấu trúc 3 lớp như BJT thông thường nhưng miền cực gốc để hở, có một diện tích thích hợp để tiếp nhận ánh sáng chiếu vào qua cửa sổ ¾Khi Transistor quang ở chế độ hoạt động thì tiếp giáp BC được phân cực ngược còn tiếp giáp BE phân cực thuận ¾Khi ánh sáng chiếu vào Transistor quang, các hạt tải được sinh ra và được khuếch tán tới tiếp giáp BC, tiếp giáp này sẽ tách điện tử và lỗ trống để góp phần tạo nên dòng quang điện ¾Tiếp giáp BC có vai trò như một điốt quang, các hạt tải từ phía tiếp giáp thuận BE được tiêm chích vào cực gốc B. Dòng quang điện trong miền B (dòng rò ICB) sẽ trở thành dòng IB và được khuếch đại lên (β+1) lần ở collector BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 33 Transistor quang (2) Ký hiệu: Đặc điểm: ¾Độ khuếch đại: 100 ÷1000 lần và độ khuếch đại là không tuyến tính theo cường độ ánh sáng chiếu vào mối nối giữa cực C và B ¾Tốc độ làm việc chậm do tụ điện kí sinh Ccb gây hiệu ứng Miller ¾Tần số làm việc max ∼vài trăm KHz ¾Để tăng độ nhạy người ta chế tạo loại Transistor lắp theo kiểu Darlington Hình 8.20 Ký hiệu của Transistor quang 2 cực (a) và Transistor quang 3 cực (b) !NPN !NPN (a) (b) BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 34 Transistor quang (3) Ứng dụng: ¾Mạch điện a) dùng transistor quang lắp Darlington với transistor công suất để điều khiển rơle RY. Khi được chiếu sáng transistor quang dẫn làm transistor công suất dẫn cấp điện cho rơle D 1 N 1 1 8 3 1 m RY +VCC !NPN !NPN !NPN 1 kR 1 N 1 1 8 3 1 m RY +VCC !PNP (a) (b) (c) Hình 8.21 D !NPN !NPN 1 kR 1 N 1 1 8 3 1 m RY +VCC BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 35 Transistor quang (4) ¾Mạch điện hình (b) lấy điện áp Vc của transistor quang để phân cực cho cực B của transistor công suất. Khi transistor quang được chiếu sáng sẽ dẫn điện và làm điện áp Vc giảm, cực B transistor công suất không được phân cực nên ngưng dẫn và rơle không được cấp điện. ¾Mạch điện hình (c) dùng transistor loại PNP nên có nguyên lý ngược lại mạch điện hình (b) khi quang transistor được chiếu sáng được dẫn điện tạo sụt áp trên điện trở để phân cực cho cực B của transistor công suất loại PNP làm transistor công suất dẫn, cấp điện cho rơle. ¾Hiện nay người ta còn chế tạo JFET quang và Thyristor quang BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 36 Các bộ ghép quang (Opto- Couplers) (1) ¾Mục đích: dùng để cách điện giữa các mạch có sự khác biệt lớn về điện áp ¾VD: mạch tự động điều khiển công suất có điện áp cao (U = 200V÷380V, 660V hay 1000V); mạch điều khiển thường có điện áp thấp như các mạch logic, máy tính hay các hệ thống phải tiếp xúc với con người ¾Cấu tạo: Bộ ghép quang gồm 2 thành phần gọi là sơ cấp và thứ cấp. Phần sơ cấp là một điốt loại GaAs phát ra tia hồng ngoại, phần thứ cấp là một Transistor quang loại Silic. Khi được phân cực thuận, điốt phát ra bức xạ hồng ngoại chiếu lên trên mạch của Transistor quang. ¾Nguyên lý: Phần sơ cấp là LED hồng ngoại biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu ánh sáng. Tín hiệu ánh sáng này sẽ được phần thứ cấp (Transistor quang) biến đổi lại thành tín hiệu điện BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 37 Các bộ ghép quang (2) ¾ Đặc điểm: Điện áp cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp (vài trăm vôn ÷ hàng ngàn vôn) Bộ ghép quang có thể làm việc với IDC hoặc IAC có tần số cao Điện trở cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp có trị số rất lớn (vài chục MΩ÷vài trăm MΩ) đối với IDC Hệ số truyền đạt dòng điện (IC/IF): vài chục % ÷ vài trăm % tuỳ loại bộ ghép quang Hình 8.22 Nguyên lý Hình 8.23. Bộ ghép quang transistor !NPN 1 N 1 1 8 3 IF IC !NPN 1 N 1 1 8 3 1 4 2 3 !NPN 1 N 1 1 8 3 1 5 2 4 6 3 BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 38 Các bộ ghép quang (3) ¾ Các loại bộ ghép quang: a) Bộ ghép quang Transistor: Phần thứ cấp: Transistor loại Si. Đối với bộ ghép quang transistor có 4 chân thì transistor không có cực B, trường hợp bộ ghép quang transistor có 6 chân thì cực B được nối ra ngoài (hvẽ). Bộ ghép quang không có cực B có ưu điểm là hệ số truyền đạt lớn, nhưng có nhược điểm là độ ổn định nhiệt kém. Nếu nối giữa cực B và E một điện trở thì các bộ ghép quang transistor này làm việc khá ổn định với nhiệt độ nhưng hệ số truyền đạt bị giảm đi. BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 39 Các bộ ghép quang (4) NDAR1 1k 1 5 2 4 6 3 1 N 1 1 8 3 Hình 8.24 Transistor quang Darlington b) Transistor quang Darlington: có nguyên lý như bộ ghép quang với transistor quang nhưng với hệ số truyền đạt lớn hơn vài trăm lần nhờ tính chất khuếch đại của mạch Darlington. Nhược điểm: ảnh hưởng bởi nhiệt độ rất lớn nên giữa chân B và E của transistor sau thường có điện trở để ổn định nhiệt. BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 40 !NPN !PNP F D 1 B P 1 0 4 S A K G 2 N 1 5 9 5 1 N 1 1 8 3 1 52 4 6 3 Các bộ ghép quang (5) c) Bộ ghép quang với Thyristor quang: Gồm một điốt quang và 2 transistor lắp theo nguyên lý của SCR Khi có ánh sáng hồng ngoại do LED ở sơ cấp chiếu vào điốt quang thì sẽ có dòng điện IB cấp cho transistor NPN và khi transistor NPN dẫn thì sẽ điều khiển transistor PNP dẫn điện. Thyristor quang đã được dẫn điện thì sẽ duy trì trạng thái dẫn mà không cần kích liên tục ở sơ cấp Để tăng khả năng chống nhiễu người ta nối giữa chân G và K bằng một điện trở từ vài KΩ÷vài chục KΩ Hình 8.25 Ký hiệu và cấu trúc bán dẫn tương đương của Thyristor quang BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 41 Các bộ ghép quang (6) d) OPTO- Triac: có cấu trúc bán dẫn như hình vẽ 2 N 5 4 4 4 1 N 1 1 8 3 1 52 4 6 3 T1 1 k !NPN !PFD1 BP104S !NPN !PNPF 1 BP104S 1 kG T2 Hình 8.26 Ký hiệu và cấu trúc bán dẫn tương đương của Triac quang BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 42 Các bộ ghép quang (7) ¾ Ứng dụng: Các loại bộ ghép quang có dòng điện ở sơ cấp cho LED hồng ngoại khoảng 10 mA Đối với transistor quang khi thay đổi trị số dòng điện qua LED hồng ngoại ở sơ cấp sẽ làm thay đổi dòng điện ra IC của transistor quang ở thứ cấp. Các bộ ghép quang có thể dùng thay cho rơle hay biến áp xung để giao tiếp với tải thường có điện áp cao và dòng điện lớn. BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 43 Các bộ ghép quang (8) ¾ Mạch điện hình 8.27 là ứng dụng của transistor quang để điều khiển đóng ngắt rơle ¾Transistor quang trong bộ ghép quang được ghép Darlington với transistor công suất bên ngoài 1k NDAR1 D 1 N 1 1 8 3 390 Ω +5V 1 N 1 1 8 3 1 m RY +24V Hình 8.27 ¾Khi LED hồng ngoại ở sơ cấp được cấp nguồn 5V thì transistor quang dẫn, điều khiển transistor công suất dẫn để cấp điện cho rơle RY ¾ Điện trở 390Ω để giới hạn dòng qua LED hồng ngoại khoảng 10mA BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1 Trang 44 Các bộ ghép quang (9) ¾ Mạch điện hình 8.28 là ứng dụng của OPTO- Triac để đóng ngắt điện cho tải dùng nguồn xoay chiều 220V ¾ Điện trở 1kΩ để giới hạn dòng qua LED hồng ngoại khoảng 10mA. ¾ Khi LED sơ cấp được cấp nguồn 12V thì Triac quang sẽ được kích và dẫn điện tạo dòng kích cho Triac công suất. Khi Triac công suất được kích sẽ dẫn điện như một công tắc để đóng điện cho tải. 1 N 1 1 8 3 +12V 2 N 5 4 4 4 U 1 D 3 0 ~220V Tải 1k Hình 8.28
File đính kèm:
- bai_giang_cau_kien_dien_tu_quang_dien_tu_tran_thuc_linh.pdf