Bài giảng Kỹ thuật điện tử - Chương 3: Transistor lưỡng cực (Bipolar Junction Transistor-BJT)

19-Feb-11
1
Chương 3
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (Bipolar Junction Transistor-BJT)
BJT là một loại linh kiện bán dẫn 3 cực có khả năng khuếch đại tín
hiệu hoặc hoạt động như một khóa đóng mở, rất thông dụng trong
ngành điện tử.
Cấu tạo và hình dáng
n+ p n
B
E C
p+ n p
B
E C
Hình dáng BJT
3.1 Giới thiệu
E: Emitter
C: Collector
B: Base
1
Ký hiệu của BJT
B
E
C
E
C
B
BJT loại NPN
BJT loại PNP
B
E C
E C
B
n+ p n
B
E C
p+ n p
B
E C
2
19-Feb-11
2
3. 2 Chế độ làm việc của BJT
Tùy theo cách phân cực cho transistor mà transistor sẽ có các chế
độ làm việc khác nhau. Transistor có 3 chế độ làm việc cơ bản:
Chế độ khuếch đại: JE phân cực thuận và JC phân cực ngược.
- JE: tiếp xúc PN giữa cực phát (E) và cực nền (B).
- JC: tiếp xúc PN giữa cực thu (C) và cực nền (B).
Chế độ khóa (hay đóng mở): cả 2 chuyển tiếp JE và JC đều được
phân cực ngược.
Chế độ dẫn bảo hòa: cả 2 chuyển tiếp JE và JC đều được phân
cực thuận.
3
* Chế độ khuếch đại
Qui ước về dòng trong BJT
IE IC
IB
VEE VCC
IB
IE IC
VCC VCC
Theo định luật Kirchhoff:
IE = IC + IB
IC = IC (INJ) + ICBO
E
)INJ(C
I
I
=αĐịnh nghĩa thông số α : ⇒ IC = α IE + ICBO
Vì ICBO rất nhỏ, có thể bỏ qua :
E
C
I
I
≈α
NPN PNP
4
19-Feb-11
3
Ví dụ
Hướng dẫn
a. IB = 0.8 % IE
b. IC = IE - IB
c. IC (INJ) = IC – ICBO ⇒ α = IC (INJ) / IE
 Nếu bỏ qua ICBO: α = IC / IE
Dòng cực phát của một transistor NPN là 8.4 mA . Nếu hạt dẫn bị tái
hợp trong miền nền và dòng rò là 0.8%. Tìm:
a. Dòng base IB.
b. Dòng collector IC.
c. Giá trị chính xác của α và giá trị xấp xỉ của α khi bỏ qua dòng rò.
5
3.3 Ba sơ đồ cơ bản của BJT
3.3.1 Mạch B chung (Common Base – CB)
Cực B là cực chung cho mạch vào và ra.
- Dòng điện ngõ vào là dòng IE.
- Dòng ngõ ra là dòng IC.
- Điện áp ngõ vào là VEB. 
- Điện áp ngõ ra là VCB.
E C
B
•
vi
IE IC
RL
Mạch CB đơn giản hóa
6
19-Feb-11
4
Cực E là cực chung cho mạch vào và ra.
- Dòng điện ngõ vào là dòng IB.
- Dòng ngõ ra là dòng IC.
- Điện áp ngõ vào là VBE. 
- Điện áp ngõ ra là VCE.
3.3.2 Mạch E chung (Common Emitter – CE)
Mạch CE đơn giản hóa
B
C
E
•
vi
IB
IC
RL
IE
7
3.3.3 Mạch C chung (Common Colletor – CC)
Cực C là cực chung cho mạch vào và ra.
- Dòng điện ngõ vào là dòng IB.
- Dòng ngõ ra là dòng IE.
- Điện áp ngõ vào là VBC. 
- Điện áp ngõ ra là VEC.
B
E
C
•
vi
IB
IE
RL
IC
Mạch CC đơn giản hóa
8
19-Feb-11
5
3.4 Đặc tuyến Vôn - Ampe
Đồ thị diễn tả các mối tương quan giữa dòng điện và điện áp trên
BJT được gọi là đặc tuyến Vôn-Ampe (hay đặc tuyến tĩnh).
Người ta thường phân biệt thành 4 loại đặc tuyến:
Đặc tuyến vào: nêu quan hệ giữa dòng điện và điện áp ở ngõ vào.
Đặc tuyến ra: quan hệ giữa dòng và áp ở ngõ ra.
Đặc tuyến truyền đạt dòng điện: nêu sự phụ thuộc của dòng điện
ra theo dòng điện vào.
Đặc tuyến hồi tiếp điện áp: nêu sự biến đổi của điện áp ngõ vào
khi điện áp ngõ ra thay đổi.
9
3.4.1 Đặc tính B chung
3.4.1.a Họ đặc tuyến ngõ vào B chung:
constVBEE CB
)V(fI
=
=
10
19-Feb-11
6
Ví dụ
Hướng dẫn
Khi bỏ qua ICBO: α = IC/IE.
Tìm IE dựa vào đặc tuyến: 
constVBEE CB
)V(fI
=
=
⇒ Xác định giá trị VBE và VCB trên mạch cụ thể 
⇒ IE (VBE = 0.7V; VCB = 25V) và IE (VBE = 0.7V; VCB = 0V)
CE
B
Cho mạch BJT như hình bên, có đặc 
tuyến ngõ vào như khảo sát:
Khi VCC= 25 V thì IC = 8.94mA.
1. Tìm α của BJT khi bỏ qua ICBO.
2. Lặp lại nếu IC = 1.987 mA khi ngắn 
mạch VCC.
11
VBE=0.7V 
VCB=25V
9mA •
•2mA
VBE=0.7V 
VCB=0V
12
19-Feb-11
7
Ví dụ
1. α ≅ IC/IE = 8,94 mA/ 9 mA = 0,9933
2. α ≅ IC/IE = 1,987 mA/ 2 mA = 0,9935
13
3.4.1.b Đặc tuyến ngõ ra B chung:
constICBC E
)V(fI
=
=
Đặc tuyến ngõ ra của transistor NPN.
Lưu ý là thang ứng với VCB âm đã được mở rộng.
14
19-Feb-11
8
Ví dụ
Hướng dẫn
constICBC E
)V(fI
=
=Ta có:
constVBEE CB
)V(fI
=
=
Mà:
Từ đặc tuyến ngõ vào, trên đường VCB = 10V tại điểm có VBE = 0.7V ⇒ IE=4mA.
Từ đặc tuyến ngõ ra, trên đường IE = 4mA, tại điểm có VCB = 10V 
⇒ IC=3.85mA.
Dựa vào các họ đặc tuyến ngõ 
vào và ngõ ra của mạch CB 
đã khảo sát, và với sơ đồ 
mạch như hình sau:
Tìm dòng cực thu khi VCB = 10V 
và VBE = 0.7V.
15
Họ đặc tuyến ngõ vào CB
•4mA
0.7V
16
19-Feb-11
9
Đặc tuyến ngõ ra của transistor NPN.
•3.85mA
VCB=10 V
17
3.4.1.c Đánh thủng BJT
Do chuyển tiếp JC được phân cực ngược nên có thể xảy ra đánh 
thủng nếu điện áp phân cực ngược đủ lớn.
Đặc tuyến ngõ ra CB bao gồm vùng đánh thủng
18
19-Feb-11
10
3.4.2 Đặc tính E chung
3.4.2.a Dòng ICEO và β
Ta có: IC = α IE + ICBO ⇒ α IE = IC - ICBO
E
CBOC III =−
αα CB
CBOC IIII +=−⇒
αα
CEOB
CBO
BC II1
III +=
−
+=⇒ β
α
β
Chia 2 vế cho α, ta có:
Khi VBE hở mạch, ta có:
α
αβ
−
=
1
Đặt:
Vì ICEO là rất nhỏ: )0Ixem(II CEOBC ≈≈ β
αα
α
−
+
−
=⇒
1
I
1
II CBOBC
α−
==
1
III CBOCEOC
19
3.4.2.b Đặc tuyến ngõ vào E chung:
constVBEB CE
)V(fI
=
=
Đặc tuyến ngõ vào CE. 20
19-Feb-11
11
3.4.2.b Đặc tuyến ngõ ra E chung:
constICEC B)V(fI ==
Đặc tuyến ngõ ra CE
21
Ví dụ
Hướng dẫn
1. Độ thay đổi β:
%100x
V5.2
V5.2V10
β
ββ −
BC II β=
Với IB = 40µA, IC (VCE = 2.5V) và IC (VCE = 10V) được xác định từ 
đặc tuyến ngõ ra, trên đường IB = 40µA. 
2. Được tính tương tự, với IC được xác định từ đặc tuyến ngõ 
ra tại VCE = 7.5V, trên 2 đường IB = 10µA và IB = 50µA
Một BJT có đặc tuyến ngõ ra CE như vừa khảo sát.
1. Tìm độ thay đổi của β khi VCE thay đổi từ 2.5V đến 10V với IB là 
40µA.
2. Tìm độ thay đổi của β khi IB thay đổi từ 10 µA đến 50µA khi VCE là
7.5V.
22
19-Feb-11
12
Đặc tuyến ngõ ra CE
VCE=7.5V
•0.8mA
•5.2mA
•4.2mA
VCE=10V
•3.8mA
VCE=2.5V
23
Ví dụ
1. β10V = 3,8 mA / 40 µA = 95
β2,5V = 4,2 mA / 40 µA = 105
%53,10%100
95
95105%100
5.2
5.210
=×
−
=×
−
V
VV
β
ββ
2. β10µA = 0,8 mA / 10 µA = 80
β50µA = 5,2 mA / 50 µA = 104
%30%100
80
80104%100
50
5010
=×
−
=×
−
A
AA
µ
µµ
β
ββ
24
19-Feb-11
13
3.4.3 Đặc tính C chung
3.4.3.a Họ đặc tuyến ngõ vào C chung:
constVCBB CE
)V(fI
=
=
Đặc tuyến ngõ vào CC. 25
3.4.3.b Họ đặc tuyến ngõ ra C chung:
constICEE B
)V(fI
=
=
Đặc tuyến ngõ ra CC 26
19-Feb-11
14
3.5 Phân cực cho BJT
3.5.1 Mạch phân cực B chung
Phương trình đường tải tĩnh: biểu diễn mối quan hệ giữa điện 
áp và dòng điện ở ngõ ra.
- VCC + IC RC + VCB = 0
C
CC
CB
C
C R
VV
R
1I +−=⇒
VCB(V)
IC (mA)
•
C
CC
R
V
•
VCC
Điểm phân cực (làm việc): )V,I(Q CBC
Là giao của đường tải với đặc tuyến 
ngõ ra tương ứng với IE= const. 27
Một số lưu ý
- Giá trị VBE là 1 hằng số trong các mạch phân cực cho BJT.
VBE = 0.7V (Si) ; VBE = 0.3V (Ge)
- Công thức về dòng có thể dùng xấp xĩ khi tính toán:
IE = IC + IB ≈ IC
- Đối với các mạch sử dụng BJT loại PNP có thể dùng công thức 
của BJT loại NPN bằng cách đảo cực của điện áp VBE và VCB 
thành VEB và VBC.
- Các giá trị nguồn cung cấp được tính theo độ lớn.
28
19-Feb-11
15
Cho mạch khuếch đại dùng BJT 
như hình bên:
1. Viết phương trình và vẽ 
đường tải.
2. Xác định điểm phân cực Q.
Ví dụ
Hướng dẫn
C
CC
CB
C
C R
VV
R
1I +−=⇒
1. Viết phương trình và vẽ đường tải.
2. Xác định điểm phân cực Q: ECBC Itheo)V,I(Q
B
IE
E
VBE + IE x RE – VEE = 0 ⇒ IE = 2 mA
Xem IC ≈ IE = 2 mA thay vào phương trình đường tải ⇒ VCB = 12V
Điểm Q(2mA, 12V) 29
Sử dụng đặc tuyến
Đường tải và họ đặc tuyến ngõ ra của cấu hình CB. 
2mA
12V
•
30
19-Feb-11
16
3.5.2 Mạch phân cực E chung
Phương trình đường tải tĩnh:
- VCC + IC RC + VCE = 0
C
CC
CE
C
C R
VV
R
1I +−=⇔
- VCC + IB RB + VBE = 0
B
BECC
B R
VVI −=⇔
IC= β IB
Điểm phân cực (làm việc): )V,I(Q CEC
Là giao của đường tải với đặc tuyến ngõ ra tương ứng với IB= const.
31
Ví dụ
Trong mạch hình bên, BJT loại Si có β = 100:
a. Giả sử BJT có đặc tuyến ngõ ra như hình vẽ, tìm điểm phân cực 
bằng cách dùng đồ thị.
b. Tìm điểm phân cực dựa vào mạch điện.
c. Lặp lại câu a và b khi RB= 161.43KΩ
376.67KΩ
+12V
2KΩ
32
19-Feb-11
17
Hướng dẫn
a. Viết và vẽ pt đường tải tĩnh trên cùng đồ thị của đặc tuyến:
C
CECC
C R
VVI −=
Xác định giá trị của IB để tìm điểm phân cực Q1: A30R
VVI
B
BECC
B µ=
−
=
33
b. Dựa vào mạch điện, xác định giá trị IB giống câu a : IB = 30 µA.
Sử dụng: IC = βIB ⇒ IC = 3mA. Thay vào phương trình đường tải: VCE = 6 V. 
c. Khi RB thay đổi không làm ảnh hưởng đến pt đường tải, nhưng IB = 70 µA.
 Lúc này điểm phân cực Q2 sẽ là giao của đường tải với đường IB = 70 µA.
Q2 (IC sat = 5.7mA, VCE sat = 0.5V), BJT hoạt động ở vùng bão hòa.
34
19-Feb-11
18
3.5.3 Mạch phân cực C chung
Phương trình đường tải tĩnh:
- VCC + VCE + IERE = 0
Với: IE = IC + IB = (β + 1) IB
E
CC
CE
E
E R
VV
R
1I +−=⇔
- VCC + IBRB+ VBE + IERE = 0
Điểm phân cực (làm việc): )V,I(Q CEE 35
3.6 Thiết kế mạch phân cực
Việc thiết kế được tính toán trên các giá trị nguồn cung cấp là cố định.
Từ yêu cầu về điểm làm việc ta phải xác định các giá trị điện trở trên 
mạch.
Vì trên thực tế các điện trở sẽ được chọn theo giá trị chuẩn, do đó khi 
chọn phải phù hợp với sai số cho phép.
Ví dụ
Một mạch phân cực B chung được thiết kế dùng transistor NPN silicon.
Các nguồn phân cực có giá trị +15V và -5V . Điểm phân cực là IC = 1.5mA
và VCB = 7.5V.
1. Thiết kế mạch dùng các điện trở chuẩn dung sai 5%.
2. Giá trị phân cực thật sự khi dùng các các điện trở chuẩn là bao nhiêu?
3. Tìm giới hạn của IE và VCB khi tính cả sai số trên điện trở.
36
19-Feb-11
19
Hướng dẫn
1. Sơ đồ mạch phân cực CB:
III
Vòng (I): - VEE + VBE + IE RE = 0
Vòng (II): - VCC + IC RC + VCB = 0
⇒ RE = 2867 Ω ; RC = 5000 Ω
Một số giá trị R chuẩn
10, 12, 15, 18, 
22, 27, 
33, 39, 
43, 47, 
51, 56, 
68, 75, 82, 91.
Với sai số 5%, có thể chọn:
RE = 3KΩ ; RC = 5.1KΩ
2. Với các R đã chọn, thay vào 
các biểu thức để tính lại các giá 
trị của điểm phân cực.
3. Tìm giới hạn của IE và VCB:
R giới hạn = R chuẩn ± 5% * R chuẩn
Thay vào các biểu thức đề tìm giới hạn của IE và VCB. 37
Ví dụ cho thiết kế phân cực E chung
Một transistor silicon NPN có β tối ưu là 100, được sử dụng trong mạch
phân cực CE với VCC = 12V. Điểm phân cực là IC = 2mA và VCE = 6V.
1. Thiết kế mạch dùng các điện trở chuẩn 5%.
2. Tìm giới hạn có thể có của điểm phân cực nếu β của transistor thay đổi
từ 50 đến 150 (một giới hạn thường gặp trong thực tế). Giả sử là các điện
trở có giá trị tối ưu.
Hướng dẫn
1. - VCC + IC RC + VCE = 0
- VCC + IB RB + VBE = 0
IC= β IB ; VBE = 0.7V
⇒ RB = 565KΩ ; RC = 3KΩ chọn 560 KΩ và 3KΩ
2. Tính lại IB theo sự thay đổi của β, ứng với RB 
đã chọn. Từ đó tìm giới hạn của điểm phân cực. 38
19-Feb-11
20
Ví dụ cho thiết kế phân cực C chung
Một transistor silicon NPN có β =100, được sử dụng trong cấu hình CC
với VCC = 24V. Điểm phân cực là IE = 4mA và VCE = 16V.
1. Thiết kế mạch dùng các điện trở chuẩn 5%.
2. Tìm điểm phân cực thật sự khi các điện trở chuẩn 5% được sử dụng,
giá sử là chúng có các giá trị tối ưu.
Hướng dẫn
1. - VCC + VCE + IERE = 0
Với: IE = IC + IB = (β + 1) IB
- VCC + IBRB+ VBE + IERE = 0
⇒ RE = 2KΩ ; RB = 386.325Ω chọn 2 KΩ và 390Ω
2. Với các R đã chọn, thay vào các biểu thức để 
tính lại điểm phân cực. 39
3.7 BJT Inverter 
- Khi điện áp ở ngõ vào là 5V: RB và RC 
được thiết kế sao cho BJT hoạt động ở 
chế độ bão hòa.
BJT được ứng dụng như một chức năng đảo trạng thái.
 + Khi đó VCE ≈ 0 (khoảng 0.1V) được 
gọi là VCE sat(saturation), tương ứng:
C
CC
satCC R
VII ==
- Khi điện áp ở ngõ vào là 0V: BJT 
không dẫn ⇒ VCE = + 5V.
B
BEHIsatC
B R
VVII −== β
Kết luận:
V in = 5V ⇒ V out = 0V.
V in = 0V ⇒ V out = 5V. Inverter 40
19-Feb-11
21
3.8 Công tắc transistor
Một mạch Inverter dùng transistor được xem là một công tắc được điều 
khiển bởi điện áp ở ngõ vào.
Được gọi là công tắc transistor.
41