Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng giá trị hệ số hấp thụ riêng của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát

Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai

số ước lượng khi sử dụng kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị hệ số hấp thụ riêng

SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát. Các yếu tố được xem xét phân tích bao

gồm: ảnh hưởng của kích thước phantom và ảnh hưởng của tần số phát. Mô phỏng

kiểm chứng với các mô hình kích thước đặc trưng của phantom phẳng và nguồn bức

xạ tại các tần số vô tuyến thông dụng chỉ ra rằng sai số ước lượng SAR gia tăng khi

kích thước phantom giảm hoặc tần số phát giảm.

pdf 8 trang yennguyen 2040
Bạn đang xem tài liệu "Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng giá trị hệ số hấp thụ riêng của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

Tóm tắt nội dung tài liệu: Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng giá trị hệ số hấp thụ riêng của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát

Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng giá trị hệ số hấp thụ riêng của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát
Kỹ thuật điều khiển & Điện tử 
C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố  nhiều ăng ten phát.” 44 
ĐÁNH GIÁ MỘT SỐ YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG ĐẾN 
SAI SỐ ƯỚC LƯỢNG GIÁ TRỊ HỆ SỐ HẤP THỤ RIÊNG CỦA 
THIẾT BỊ VÔ TUYẾN NHIỀU ĂNG TEN PHÁT 
Chu Văn Hải*, Lê Đình Thành, Nguyễn Huy Hoàng 
Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai 
số ước lượng khi sử dụng kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị hệ số hấp thụ riêng 
SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát. Các yếu tố được xem xét phân tích bao 
gồm: ảnh hưởng của kích thước phantom và ảnh hưởng của tần số phát. Mô phỏng 
kiểm chứng với các mô hình kích thước đặc trưng của phantom phẳng và nguồn bức 
xạ tại các tần số vô tuyến thông dụng chỉ ra rằng sai số ước lượng SAR gia tăng khi 
kích thước phantom giảm hoặc tần số phát giảm. 
Từ khóa: Hệ số hấp thụ riêng SAR, Thiết bị nhiều ăng ten phát, Đầu dò điện trường, Sai pha tương đối. 
1. ĐẶT VẤN ĐỀ 
Hệ thống thông tin vô tuyến ngày nay đóng vai trò quan trọng trong đời sống xã hội và 
phát triển kinh tế. Nhằm nâng cao tốc độ và chất lượng truyền tin, nhiều công nghệ mới đã 
và đang được triển khai nghiên cứu ở các phòng thí nghiệm trên thế giới, trong đó điển 
hình là các hệ thống thông tin vô tuyến nhiều ăng ten phát. Với các hệ thống thông tin này, 
việc nghiên cứu tương thích điện từ trường nhằm đảm bảo các thiết bị trong hệ thống 
không gây nhiễu tới các thiết bị khác và an toàn đối với người sử dụng là một vấn đề thiết 
thực đặt ra trong thực tế. Đối với các thiết bị bức xạ sóng điện từ sử dụng gần cơ thể con 
người, ủy ban an toàn về sóng điện từ quốc tế [1, 2] đã quy định sử dụng giá trị hệ số hấp 
thụ riêng SAR (SAR: Specific Absorption Rate) làm tham số trong an toàn bức xạ điện từ 
trường. 
Hệ số hấp thụ riêng SAR được định nghĩa là mức năng lượng điện từ trường được hấp 
thụ trên mỗi đơn vị khối lượng của một cơ thể sinh học khi cơ thể sinh học đó tiếp xúc với 
trường điện từ. Giá trị SAR tỷ lệ với bình phương biên độ cường độ điện trường bức xạ: 
 
2
W / KgSAR E 
 (1) 
Trong đó:  và tương ứng là độ dẫn điện ( / )S m và khối lượng riêng ( / 3)Kg m 
của cơ thể sinh học; E là cường độ điện trường tại điểm đo ( /V m ). 
Đối với thiết bị vô tuyến thông thường (có 1 ăng ten phát trên mỗi băng tần hoạt động), 
giá trị SAR của một thiết bị chỉ phụ thuộc vào cường độ điện trường mà không phụ thuộc 
vào giá trị pha của điện trường tại điểm đo. Kỹ thuật đo và trình tự đo xác định giá trị SAR 
được chỉ ra tương đối rõ ràng và được quy chuẩn trong các chuẩn đo SAR quốc tế [3-5]. 
Tuy nhiên, đối với thiết bị có nhiều ăng ten phát đồng thời trên cùng một tần số (chẳng hạn 
như trong kỹ thuật MIMO – nhiều đầu vào nhiều đầu ra hoặc kỹ thuật ăng ten mạng 
pha), giá trị cường độ điện trường tại điểm đo phụ thuộc vào giá trị cường độ điện 
trường bức xạ bởi từng ăng ten và giá trị pha tương đối của chúng. Lý do là vì cường độ 
điện trường tổng hợp tại điểm đo là tổng véc tơ các cường độ điện trường bức xạ của mỗi 
nguồn riêng lẻ. Vì thế, việc đo SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát trở nên phức 
tạp và tốn thời gian hơn. 
Các tiêu chuẩn quốc tế IEEE 1528 [3], IEC/TR 62630 [4], IEC:62209-2 [5] hiện nay 
khuyến cáo một số kỹ thuật đo SAR cơ bản đối với các thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten 
phát. Các kỹ thuật này cũng được thực hiện trong các nghiên cứu khác [6-8]. Tuy nhiên, 
các kỹ thuật hiện tại nêu trên tồn tại một số hạn chế như: 1) số lượng phép đo lớn dẫn đến 
Nghiên cứu khoa học công nghệ 
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 45
mất nhiều thời gian đo, thậm chí không thể thực hiện khi số lượng ăng ten phát tăng nhiều 
[3-5]; 2) giá trị SAR xác định có thể sai lệch rất nhiều so với SAR thực tế [6-8]. Để giải 
quyết vấn đề trên, nhóm nghiên cứu đã đề xuất 3 kỹ thuật ước lượng cho phép giảm số 
lượng phép đo cần thiết mà vẫn đảm bảo xác định chính xác giá trị SAR của thiết bị vô 
tuyến nhiều ăng ten phát [9-11]. Trong cả 3 kỹ thuật ước lượng được đề xuất, một số phân 
tích lý thuyết và kiểm chứng cơ bản với mô hình phantom phẳng đã được thực hiện (xem 
hình 1) tại tần số 2.45GHz theo tiêu chuẩn IEEE 1528 [3]. Kết quả kiểm chứng ban đầu 
khẳng định rằng sai số giữa giá trị SAR ước lượng và giá trị đo thực tế là khá nhỏ. 
Hình 1. Mô hình kích thước phantom phẳng. 
Tuy nhiên, trong cả 3 kỹ thuật ước lượng này, một số giả thiết đơn giản hóa đã được áp 
dụng nhằm xây dựng mô hình tính toán cường độ điện trường tại điểm đo.Chẳng hạn, 
thành phần điện trường phản xạ bên trong mô hình đo (phantom) đã được bỏ qua. Giả thiết 
này tương đối hợp lý, vì cường độ điện trường suy hao rất nhanh bên trong chất lỏng điện 
môi, và thành phần phản xạ là khá nhỏ. Tuy nhiên, trong một số trường hợp, khi số lượng 
ăng ten là lớn, hoặc khi kích thước phantom nhỏ, hoặc ở tần số thấp (tương ứng suy hao 
trong môi trường điện môi sẽ ít hơn), các thành phần phản xạ bên trong bề mặt phantom có 
thể ảnh hưởng tới sai số ước lượng. Thực tế, trong một số kết quả thực nghiệm chỉ ra rằng 
sai số giữa kết quả đo đạc thực nghiệm và ước lượng SAR là dưới 1% cho trường hợp 2 
ăng ten phát; và sai số lớn nhất là 5.6% cho trường hợp 3 ăng ten phát [12]. Rõ ràng khi số 
lượng nguồn phát tăng từ 2 lên 3 thì sai số ước lượng tăng đáng kể. 
Vì vậy, để tiếp tục phát triển và hoàn thiện các kỹ thuật ước lượng trong bài báo này, 
chúng tôi tập trung nghiên cứu đánh giá sai số ước lượng SAR của thiết bị vô tuyến có 
nhiều ăng ten phát khi xét tới các yếu tố ảnh hưởng như: kích thước phantom thay đổi; tần 
số phát thay đổi. 
2. MÔ HÌNH TÍNH TOÁN VÀ THỦ TỤC XÁC ĐỊNH SAR 
2.1. Mô hình tính toán 
Chúng tôi khảo sát tính toán với mô hình: Thiết bị đo kiểm DUT (DUT: Devices Under 
Test) là 2 ăng ten chấn tử nửa sóng phát tại tần số 1.9GHz và 2.45GHz (đây là các tần 
số sử dụng phổ biến cho các thiết bị vô tuyến); 2 loại phantom phẳng có kích thước dài, 
rộng, sâu ( W )L D tương ứng: (180 120 150) mm và (90 80 35) mm ; các kích 
thước này phù hợp với cơ thể sinh học trưởng thành và sơ sinh theo tiêu chuẩn IEEE 
1528[3]. 
Từ đó hình thành 4 mô hình khảo sát, tính toán cụ thể là: 
+ Mô hình 1: 2.45f GHz và kích thước phantom: 
( W ) (180 120 150)L D mm 
Kỹ thuật điều khiển & Điện tử 
C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố  nhiều ăng ten phát.” 46 
+ Mô hình 2: 2.45f GHz và kích thước phantom: 
( W ) (90 80 35)L D mm 
+ Mô hình 3: 1.9f GHz và kích thước phantom: 
( W ) (180 120 150)L D mm 
+ Mô hình 4: 1.9f GHz và kích thước phantom: ( W ) (90 80 35)L D mm 
Thông số của ăng ten và các thông số kích thước phantom phẳng, độ dẫn điện, hằng số 
điện môi, mật độ khối lượng riêng của chất lỏng phantom theo tiêu chuẩn IEEE 1528 [3] 
(xem trong bảng 1, bảng 2). Mặt phẳng đo nằm trên mặt phẳng Y1, cách DUT là 10mm, 
các điểm đo cách đều nhau 4mm (xem hình 2). 
Bảng 1. Thông số của ăng ten. 
Tham số Giá trị 
Bán kính của ăng ten 1.8 mm 
Chiều dài tổng thể ăng ten / 2 
Khoảng cách giữa 2 chấn tử liền kề / 4 
Khoảng cách giữa chất lỏng và DUT 10 mm 
Bảng 2. Thông số kích thước của phantom phẳng. 
Tham số Giá trị 
Kích thước phantom phẳng: ( WL D ) 
Loại 1: (180 120 150)mm 
Loại 2: (90 80 35)mm 
Vỏ phantom phẳng 2 mm 
Hằng số điện môi tương đối của chất lỏng ( r ) 
Phantom loại 1: 39.2 
Phantom loại 2: 36 
Độ dẫn điện chất lỏng ( ) 
Phantom loại 1: 1.8 /S m 
Phantom loại 2: 4.66 /S m 
Khối lượng riêng chất lỏng phantom ( ) 31000 /Kg m 
Thực tế hiện nay trên thế giới, các phòng đo SAR theo chuẩn quốc tế là chưa phổ 
biến, chỉ được trang bị tại một số phòng thí nghiệm chuyên dụng nên việc tiếp cận và 
tiến hành các thủ tục đo thực tế trong phòng đo là rất khó khăn. Do vậy, số liệu kiểm 
chứng và tính toán trong bài báo này được lấy từ chương trình mô phỏng ăng ten chuyên 
dụng CST STUDIO SUITE (Computer Simulation Technology) để thay thế cho dữ liệu 
đo thực tế [13]. 
2.2. Thủ tục xác định giá trị SAR 
2.2.1. Thủ tục đo SAR cơ bản 
Đối với việc đo SAR theo các chuẩn quốc tế IEEE1528 [3] hay IEC62209 [4,5], thủ tục 
đo SAR phải thực hiện qua 2 bước đo cơ bản: i) đo trong một mặt phẳng xác định (gọi là 
area scan), và ii) đo trong một không gian hình lập phương xung quanh điểm có giá trị 
SAR lớn nhất trong mặt phẳng đo ở bước i (được gọi là zoom scan). Giá trị SAR lớn nhất 
cần được xác định là giá trị SAR trung bình theo không gian (spatial-averaged SAR), 
được tính là trung bình SAR của các điểm đo trong bước ii (xem hình 2). 
Nghiên cứu khoa học công nghệ 
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 47
Hình 2. Biểu diễn 2 bước đo xác định SAR. 
2.2.2. Quy trình xác định SAR theo kỹ thuật ước lượng 
Hình 3. Quy trình đo E (hay SAR) của thiết bị vô tuyến có 2 ăng ten phát 
sử dụng 3 kỹ thuật ước lượng [9-11]. 
48
chúng tôi ti
hình 3) 
lượng SAR lớn nhất nhanh chóng đ
Trong quy trình 
probes) và đ
tin v
pha và biên đ
ứng với sai pha từ 0
số 
kỹ thuật 
SAR
ước l
360
ứng tại mỗi điểm đo sẽ xác định đ
trên m
Trên cơ s
ề bi
Dữ liệu đo c
ước l
Để đánh giá sai số giữa kết quả 
est
ư
Hình 4 bi
0 
ư
 tương 
ợng đ
với b
ặt phẳng Y1 cho từng tr
C. V. H
để xác địn
ên đ
ợng.
ước l
ư
ở phân tích lý thuyết đ
ến h
ầu d
ộ điện tr
ộ của điện tr
ược tính theo công thức:
ểu diễn các giá trị 
ớc pha l
ải, L. Đ. Th
ành các bư
đo trên s
ò véc t
ường độ điện tr
ượng n
ứng với SAR 
4a) Mô hình 1; 4b) Mô hình 2; 4c) Mô hình 3; 4d) Mô hình 4.
h các tham s
à 1
ường tại điểm đo, trong khi đó đầu d
0 đến 360
êu trên, chúng tôi ký hi
0
ử dụng 2 loại đầu d
ơ [15
ư
Sai so
 trên cùng m
Hình 4.
ành, N. H. Hoàng
ớc đo theo quy tr
]
ờng.
ư
3.
ố 
 (vector probes). Đ
ư
0 (trong đó bư
ớc l
 K
ư
ường hợp sai pha cụ thể v
ước l
ờng (hay SAR) v
ượng lớn nhất theo quy tr
 
ẾT QUẢ V
ớc l
ư
 Bi
ã đư
ư
ước l
100 ( )
ư
ột mặt phẳng đo Y1 (biết rằng, với mỗi sai pha t
ợc 1 giá trị SAR, qua đó xá
ểu diễn giá trị SAR lớn nhất:
ợc tr
ượng cho từng kỹ thuật đề xuất. Từ đó giá trị 
ợc xác định t
ư
ợng SAR lớn nhất t
, “
ình 
ớc pha l
ợng SAR lớn nhất v
SAR SAR
Đánh giá m
ình bày chi ti
đo SAR c
ò đi
ệu: 
est sim
À TH
ện tr
ầu d
à d
SAR
ương 
ư
ò vô h
ữ liệu 
à 15
ẢO LUẬN
ờng l
sim
à g
ột số yếu tố
ết trong các nghi
ủa thiết bị có 2 ăng ten phát (xem 
ứng với sai pha 
à đ
ư
ò véc t
ư
0) s
 tương 
ương 
ọi chung l
K
ầu d
ớng chỉ có thể cung cấp thông 
ớc l
ẽ đ
à giá tr
ình trên hình 3. Khi 
ỹ thuật điều khiển & Điện tử
ơ cung c
ư
ược sử dụng để so sánh sai 
ứng với SAR đo thực tế; 
 0
ứng tại sai pha từ 0
c đ
ò vô h
ợng SAR lớn 
0 
ịnh đ
à SAR
nhi
ị đo thực tế cho cả 3 
ều ăng ten phát
ướng
ấp thông tin cả về 
ược SAR lớn nhất 
ên c

max).
ứu [9
max
 [14
nh
 c
] (scalar 
ất t
đó,
-11], 
ư
ụ thể
ương 
 sai s
0 đ
ương 
.”
ớc 
. 
ố 
(2)
ến 
Nghiên c
Tạp chí Nghi
điểm đánh dấu chấm đen l
đến 360
thấy các đ
khá tương đ
đen sai l
hiện sai s
đồng, sai lệch lớn nhất giữa các kỹ thuật 
mô hình 3 so v
0.7% (0.6% so v
Từ các giá trị SARmax n
Hình 4a, 4b, 4c, 4d l
Hình 5 th
Mô hình 1 (hình 5a), sai s
Mô hình 2 (hình 5b), sai s
Mô hình 3 (hình 5c), sai s
Mô hình 4 (hình 5d), sai s
Từ kết quả tr
+ V
+ Khi kích thư
0
ới cả 3 kỹ thuật 
ứu khoa học công nghệ 
 với b
ư
ệch lớn nhất so với đ
ố ư
ên c
ờng bi
ồng. Các điểm đen phân bố tr
ớc l
Hình 5. 
ể hiện sai số 
ứu KH&CN 
ước pha 15
ư
5a)Mô hình 1; 5b) Mô hình 2; 5c) Mô hình 3; 5d) Mô hình 4.
ên hình 5, n
ới mô h
ới 1.3%, 1.5% so với 2.2%).
ểu diễn giá trị 
ợng l
ớc phantom giảm, tần số phát không đổi (mô h
à khá l
Sai s
ư
ình 4) thì sai s
0. 
ần l
ố 
ư
ớc l
quân s
ày, d
à giá tr
ư
ớn.
ước l
ớc l
ố 
ố 
ố 
ố 
hận thấy sai số 
ư
ợt t
ường biểu diễn 
ượng SAR của 4 mô h
ước l
ước l
ước l
ước l
ợng đề xuất, đ
ự, 
ễ d
ị SARmax tính toán từ dữ liệu mô phỏng tại sai pha từ 0
ương 
ước l
ượng SAR t
Số
àng xác đ
ượng SAR lớn nhất nhỏ h
ượng SAR lớn nhất khoảng 1.3%.
ượng SAR lớn nhất gần bằng 1.5%.
ượng SAR lớn nhất khoảng 2.2%.
ố ư
 55
ứng với 4 mô h
ượng SAR lớn nhất cho cả 3 kỹ thuật 
ư
ớc l
, 06
ên hình v
ương 
ước l
ư
ớc l
ư
 - 20
ịnh
ước l
ờng biểu diễn sai số 
ượng ch
ợng lớn nhất có tăng nh
18
ứng tại sai pha kiểm chứng:
ượng thay đổi nh
đư
ẽ cho 4 mô h
ượng SAR l
ình tính toán, c
ợc giá trị SARmax lớn nhất. Những 
ình kh
ưa đến 1%. 
ảo sát, quan sát h
ơn 0.6%.
ình là r
à trên hình 4d, 
ư sau:
ư
ình
ụ thể:
ớc l
 1 so v
ưng không nhi
ất khác nhau. Điểm 
ượng l
ới mô h
ư
à khá tương 
ình 4, nh
ớc l
điều n
ư
ình 2; 
ều d
ợng l
ày th
ư
49
0
ận 
à 
ể 
ới 
Kỹ thuật điều khiển & Điện tử 
C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố  nhiều ăng ten phát.” 50 
+ Khi tần số phát giảm, kích thước phantom không đổi (mô hình 1 so với mô hình 3; 
mô hình 2 so với mô hình 4) thì sai số ước lượng lớn nhất tăng khá rõ khoảng 1% (0.6% so 
với 1.5%, 1.3% so với 2.2%). 
+ Khi cả tần số phát và kích thước phantom giảm (mô hình 1 so với mô hình 4) thì sai 
số ước lượng lớn nhất tăng cao gần 2% (0.6% so với 2.2%). 
4. KẾT LUẬN 
Trong bài báo, chúng tôi đã sử dụng 3 kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị SAR lớn 
nhất của thiết bị vô tuyến có 2 ăng ten phát. Với 4 mô hình kiểm chứng cho thấy, khi kích 
thước phantom hay tần số phát thay đổi thì sai số ước lượng lớn nhất chỉ khoảng 2.2%. Sai 
số lớn nhất này nằm trong giới hạn tiêu chuẩn đo lường quốc tế, điều này khẳng định tính 
chính xác của các kỹ thuật ước lượng đề xuất. Tuy nhiên, khi kích thước phantom giảm 
hoặc tần số phát giảm thì sai số ước lượng đều gia tăng (sai lệch lớn nhất gần 2%). Biết 
rằng, các dữ liệu kiểm chứng được lấy từ chương trình mô phỏng, trong các phép đo thực 
tế sai số có thể lớn hơn nhiều vì chịu ảnh hưởng của rất nhiều yếu tố bên ngoài. Với 3 kỹ 
thuật ước lượng được đề cập, nghiên cứu trong phạm vi bài báo này, khi ứng dụng đo SAR 
cho thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát trong thực tế cần chú ý đến từng mô hình đo cụ 
thể. Các kỹ thuật ước lượng trên có thể cho sai số rất lớn khi kích thước phantom hay tần 
số hoạt động tại thông số nào đó, vì vậy cần được phát triển, kiểm chứng ở các nghiên cứu 
tiếp theo. 
TÀI LIỆU THAM KHẢO 
[1]. ICNIRP, "Guidelines for limiting exposure to time-varying electric, magnetic and 
electromagnetic fields (up to 300 GHz)," Health Phys., vol. 74, pp. 494-522, 1998. 
[2]. FCC OET Bulletin 65, "Evaluating Compliance with FCC Guidelines for Human 
Exposure to Radiofrequency Electromagnetic Fields," Ed. 97-01 ,. 
[3]. IEEE 1528, "IEEE Recommended Practice for Determining the Peak Spatial-Average 
Specific Absorption Rate (SAR) in the Human Head from Wireless Communications 
Devices: Measurement Techniques," Ed.2013. 
[4]. IEC/TR 62630, "Guidance for Evaluating Exposure from Multiple Electromagnetic 
Sources," Ed. 1.0, 2010. 
[5]. IEC 62209-2, "Human exposure to radio frequency fields from hand-held and body-
mounted wireless communication devices: Human models, instrumentation, and 
procedures - Part 2: Procedure to determine the specific absorption rate (SAR) for 
wireless communication devices used ," Ed. 1.0, 2010. 
[6]. K.-C. Chim, K. C. L. Chan, and R. D. Murch, "Investigating The Impact of Smart 
Antennas on SAR," IEEE Trans. Antennas Propag., vol. 52, no. 5, pp. 1370-1374, 
May 2004. 
[7]. J.-O. Mattsson, and L.P. De Leon, "SAR Evaluation of A Multi-Antenna System," in 
Proc. IEEE Antennas and Propagation Int. Symp., Honolulu, Jun. 2007, pp. 1373- 
1376. 
[8]. T. Iyama and T. Onishi, "Maximum Average SAR Measurement Procedure for Multi-
Antenna Transmitters," IEICE Trans. Comm., vol. E93-B, no. 7, pp. 1821-1825, Jul 
2007. 
[9]. D. T. Le, L. Hamada, and S. Watanabe, "Measurement Procedure to Determine SAR 
of Multiple Antenna Transmitters Using Scalar Electric Field Probes," in Proc. IEEE 
The International Conference on Advanced Technologies for Communications 2014 
Nghiên cứu khoa học công nghệ 
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 51
(ATC'14)., Ha Noi, Oct 2014. 
[10]. D. T. Le, L. Hamada, S. Watanabe, and T. Onishi, "An Estimation Method for Vector 
Probes Used in Determination SAR of Multiple-Antenna Transmission Systems," in 
Proc. IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility., Tokyo, May 
2014. 
[11]. D.T.Le, and V.H.Chu, "An Analysis of Vector Estimation for Uncertainty Reduction 
in Evaluating the Specific Absorption Rate of Multiple Transmitting Antenna 
Devices," in Proc. IEEE The NAFOSTED Conference on Information and Computer 
Science, Ho Chi Minh, Viet Nam, Sept. 2015. 
[12]. V.H.Chu, H.H.Nguyen and D.T.Le, "Analyzing the Estimation Errors in Evaluating 
the Specific Absorption Rate of Multiple-Antenna Devices for Different Numbers of 
Antennas," in Vietnam Japan Microwave 2017 Conference, Ha Noi, June 13-14th, 
2017. 
[13]. https://www.cst.com/products/csts2,. 
[14]. DASY52 by SPEAG,  
[15]. ART-MAN by ART-Fi,  
ABSTRACT 
ESTIMATION OF PARAMETERS CAUSING UNCERTAINTIES 
IN SAR EVALUATION FOR MULTI-ANTENNA TRANSMITTING DEVICES 
In this paper, parameters affecting the uncertainty when using evaluation 
technique for specific absorption rate (SAR) determination of multi-antenna 
transmitting devices are estimated. The main factors which are considered include: 
phantom size and operating frequency. It is pointed out, by simulated validations for 
featured flat phantom size schemes and exposure source at common operating 
frequencies that uncertainty of SAR evaluation increases when phantom size or 
operating frequency decreases. 
Keywords: Specific Absorption Rate - SAR; Multiple Antennas Radio Device; Field Probes; Relative Phase. 
Nhận bài ngày 11 tháng 3 năm 2018 
Hoàn thiện ngày 03 tháng 4 năm 2018 
Chấp nhận đăng ngày 08 tháng 6 năm 2018 
Địa chỉ: Học viện Kỹ thuật quân sự. 
 * Email: chuhait1@gmail.com. 

File đính kèm:

  • pdfdanh_gia_mot_so_yeu_to_anh_huong_den_sai_so_uoc_luong_gia_tr.pdf